LBAV70WT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的高�、高效率開關(guān)電源用的 N 溝道功率 MOSFET。這款 MOSFET 主要用于需要低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)用場(chǎng)�,例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)模式電源(SMPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器等。其采用 TO-263 封裝形式,具有良好的散熱性能�
該器件具備較低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。此�,它還擁有較高的雪崩耐量能力,能夠在異常情況下保�(hù)電路�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�7A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5Ω
柵極電荷�18nC
輸入電容�930pF
總功耗:113W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-263
LBAV70WT1G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電� (650V),適用于高壓�(huán)境下的開�(guān)�(yīng)用�
2. 極低的導(dǎo)通電� (4.5Ω),可以顯著降低導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損耗�
3. 快速開�(guān)速度,能夠支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效能開關(guān)電源�(shè)�(jì)�
4. 高雪崩能量能�,確保在瞬態(tài)過壓條件下具有更好的魯棒性和可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際規(guī)范要��
6. 支持表面貼裝工藝 (SMD),簡(jiǎn)化生�(chǎn)流程并提升裝配效��
LBAV70WT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包括適配器、充電器和工�(yè)電源�
2. LED �(qū)�(dòng)器及照明控制模塊�
3. 電信�(shè)備中的電源管理單��
4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
5. 電磁閥和其他需要高頻切換的�(yīng)用場(chǎng)��
由于其出色的電氣特性和熱性能,該器件非常適合�(duì)效率和可靠性有�(yán)格要求的電力電子�(shè)�(jì)�
LBAV70N65P3, LBAV70N65P3G