LBAV70WT1G 時(shí)間：2025/6/5 23:38:05 閱讀：12

LBAV70WT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生產(chǎn)的高頻、高效率開關(guān)電源用的 N 溝道功率 MOSFET。這款 MOSFET 主要用于需要低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性的應(yīng)用場(chǎng)合，例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。其采用 TO-263 封裝形式，具有良好的散熱性能。
　　該器件具備較低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。此外，它還擁有較高的雪崩耐量能力，能夠在異常情況下保護(hù)電路。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：7A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.5Ω
　　柵極電荷：18nC
　　輸入電容：930pF
　　總功耗：113W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：TO-263

特性

LBAV70WT1G 的主要特性包括：
　　1. 高擊穿電壓 (650V)，適用于高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻 (4.5Ω)，可以顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
　　3. 快速開關(guān)速度，能夠支持高頻操作，適合現(xiàn)代高效能開關(guān)電源設(shè)計(jì)。
　　4. 高雪崩能量能力，確保在瞬態(tài)過壓條件下具有更好的魯棒性和可靠性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際規(guī)范要求。
　　6. 支持表面貼裝工藝 (SMD)，簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程并提升裝配效率。

應(yīng)用

LBAV70WT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)，包括適配器、充電器和工業(yè)電源。
　　2. LED 驅(qū)動(dòng)器及照明控制模塊。
　　3. 電信設(shè)備中的電源管理單元。
　　4. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
　　5. 電磁閥和其他需要高頻切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　由于其出色的電氣特性和熱性能，該器件非常適合對(duì)效率和可靠性有嚴(yán)格要求的電力電子設(shè)計(jì)。