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LBAV70WT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 23:38:05 查看 閱讀:12

LBAV70WT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生產(chǎn)的高頻、高效率開關(guān)電源用的 N 溝道功率 MOSFET。這款 MOSFET 主要用于需要低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性的應(yīng)用場(chǎng)合,例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。其采用 TO-263 封裝形式,具有良好的散熱性能。
  該器件具備較低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還擁有較高的雪崩耐量能力,能夠在異常情況下保護(hù)電路。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:7A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5Ω
  柵極電荷:18nC
  輸入電容:930pF
  總功耗:113W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-263

特性

LBAV70WT1G 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓 (650V),適用于高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻 (4.5Ω),可以顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
  3. 快速開關(guān)速度,能夠支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效能開關(guān)電源設(shè)計(jì)。
  4. 高雪崩能量能力,確保在瞬態(tài)過壓條件下具有更好的魯棒性和可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際規(guī)范要求。
  6. 支持表面貼裝工藝 (SMD),簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程并提升裝配效率。

應(yīng)用

LBAV70WT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包括適配器、充電器和工業(yè)電源。
  2. LED 驅(qū)動(dòng)器及照明控制模塊。
  3. 電信設(shè)備中的電源管理單元。
  4. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
  5. 電磁閥和其他需要高頻切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
  由于其出色的電氣特性和熱性能,該器件非常適合對(duì)效率和可靠性有嚴(yán)格要求的電力電子設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

LBAV70N65P3, LBAV70N65P3G

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