LBAV70WT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生產(chǎn)的高頻、高效率開關(guān)電源用的 N 溝道功率 MOSFET。這款 MOSFET 主要用于需要低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性的應(yīng)用場(chǎng)合,例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。其采用 TO-263 封裝形式,具有良好的散熱性能。
該器件具備較低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還擁有較高的雪崩耐量能力,能夠在異常情況下保護(hù)電路。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:7A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5Ω
柵極電荷:18nC
輸入電容:930pF
總功耗:113W
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝形式:TO-263
LBAV70WT1G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓 (650V),適用于高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻 (4.5Ω),可以顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
3. 快速開關(guān)速度,能夠支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效能開關(guān)電源設(shè)計(jì)。
4. 高雪崩能量能力,確保在瞬態(tài)過壓條件下具有更好的魯棒性和可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際規(guī)范要求。
6. 支持表面貼裝工藝 (SMD),簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程并提升裝配效率。
LBAV70WT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包括適配器、充電器和工業(yè)電源。
2. LED 驅(qū)動(dòng)器及照明控制模塊。
3. 電信設(shè)備中的電源管理單元。
4. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
5. 電磁閥和其他需要高頻切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
由于其出色的電氣特性和熱性能,該器件非常適合對(duì)效率和可靠性有嚴(yán)格要求的電力電子設(shè)計(jì)。
LBAV70N65P3, LBAV70N65P3G