LBC807-16LT1G 是一款高性能的射� (RF) 和微波用 GaAs MMIC 功率放大器芯片,專為高線性度和高效率的應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)� GaAs 工藝制�,具有出色的增益、輸出功率和線性度性能。它適用于無線通信系統(tǒng)中的基站、點(diǎn)對點(diǎn)無線電和其他射頻�(yīng)��
這款放大器集成了偏置電路,能夠簡化設(shè)�(jì)并提高可靠性。此�,其小型化封裝使得它在空間受限的�(yīng)用中非常�(shí)��
型號:LBC807-16LT1G
工作頻率范圍�3.4 GHz � 3.6 GHz
增益�25 dB
飽和輸出功率�29 dBm
電源電壓�5 V
電流消耗:350 mA
53 dBc):24 dBm
輸入回波損耗:15 dB
輸出回波損耗:12 dB
封裝形式:QFN 4x4 mm
LBC807-16LT1G 的主要特性包括:
1. 高增益:該放大器提供高達(dá) 25 dB 的增�,有助于顯著提升信號�(qiáng)��
2. 高效率:在輸出功率達(dá)� 29 dBm 的同�(shí)保持較高的功率附加效� (PAE),從而降低功耗�
3. 高線性度:優(yōu)化的線性性能使其非常適合需要低 ACLR 的應(yīng)�,例� LTE 和其他寬帶通信系統(tǒng)�
4. �(nèi)部匹配網(wǎng)�(luò):芯片內(nèi)部集成輸入和輸出匹配�(wǎng)�(luò),減少外部元件需��
5. �(wěn)定性好:在寬溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的�(wěn)定性,適合戶外及惡劣環(huán)境下的使��
6. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊型 QFN 封裝,適合高密度組裝�(yīng)��
這些特點(diǎn)共同確保� LBC807-16LT1G 在射頻和微波通信�(lǐng)域的卓越表現(xiàn)�
LBC807-16LT1G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 無線通信基站�
- LTE � 5G 基站的功率放大器模塊�
- 微蜂窩和宏蜂窩設(shè)備中的射頻前端�
2. �(diǎn)對點(diǎn)無線電:
- 提供高增益和高效率以滿足長距離通信的需��
3. �(wèi)星通信�
- 地面終端�(shè)備中的射頻放大器組件�
4. 軍事和航空航天:
- 雷達(dá)系統(tǒng)、數(shù)�(jù)鏈路和其他關(guān)鍵任�(wù)通信系統(tǒng)�
LBC807-16LT1G 的高線性度和高效率使其成為這些高性能�(yīng)用的理想選擇�
LBC807-15LT1G, LBC807-17LT1G