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LBC847BDW1T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/27 9:07:42 查看 閱讀:34

LBC847BDW1T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率晶體管,屬于寬帶隙半導(dǎo)體器件。該型號(hào)采用增強(qiáng)型 GaN HEMT 結(jié)構(gòu),具備高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),適用于高頻 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源及新能源相關(guān)應(yīng)用等場(chǎng)景。
  此器件通過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)提升了散熱性能,并支持表面貼裝技術(shù) (SMT),便于大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)。

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓 (Vds):650 V
  連續(xù)漏極電流 (Id):12 A
  導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):40 mΩ
  柵極電荷 (Qg):45 nC
  反向恢復(fù)電荷 (Qrr):無(wú)(零反向恢復(fù))
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特性

LBC847BDW1T1G 具備以下主要特性:
  1. 高效率:得益于 GaN 的優(yōu)異材料屬性,能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,從而提升系統(tǒng)整體效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān):相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度,支持更高的工作頻率。
  3. 緊湊設(shè)計(jì):更低的寄生參數(shù)使設(shè)計(jì)更緊湊,同時(shí)減少外圍元件數(shù)量。
  4. 零反向恢復(fù)電荷:消除了因體二極管反向恢復(fù)引起的額外損耗。
  5. 強(qiáng)壯的熱性能:先進(jìn)的封裝技術(shù)和低熱阻確保了器件在高溫環(huán)境下的可靠性。

應(yīng)用

LBC847BDW1T1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 服務(wù)器和電信設(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)換模塊。
  2. 工業(yè)級(jí) DC-DC 轉(zhuǎn)換器,如電動(dòng)汽車充電站或可再生能源系統(tǒng)。
  3. 高頻 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
  4. 消費(fèi)類快充適配器,提供小尺寸和高功率密度解決方案。
  5. 其他需要高性能功率管理的場(chǎng)合,例如無(wú)線充電設(shè)備、激光驅(qū)動(dòng)器等。

替代型號(hào)

LBC847BQW1T1G, LBG65R090MDA1E

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