LBC847BDW1T1G 時(shí)間：2025/4/27 9:07:42 閱讀：34

LBC847BDW1T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率晶體管，屬于寬帶隙半導(dǎo)體器件。該型號(hào)采用增強(qiáng)型 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)，具備高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn)，適用于高頻 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源及新能源相關(guān)應(yīng)用等場(chǎng)景。
　　此器件通過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)提升了散熱性能，并支持表面貼裝技術(shù) (SMT)，便于大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)。

參數(shù)

類型：功率晶體管
　　材料：氮化鎵 (GaN)
　　最大漏源電壓 (Vds)：650 V
　　連續(xù)漏極電流 (Id)：12 A
　　導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：40 mΩ
　　柵極電荷 (Qg)：45 nC
　　反向恢復(fù)電荷 (Qrr)：無(wú)（零反向恢復(fù)）
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-252 (DPAK)

特性

LBC847BDW1T1G 具備以下主要特性：
　　1. 高效率：得益于 GaN 的優(yōu)異材料屬性，能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，從而提升系統(tǒng)整體效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)：相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET，GaN 器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度，支持更高的工作頻率。
　　3. 緊湊設(shè)計(jì)：更低的寄生參數(shù)使設(shè)計(jì)更緊湊，同時(shí)減少外圍元件數(shù)量。
　　4. 零反向恢復(fù)電荷：消除了因體二極管反向恢復(fù)引起的額外損耗。
　　5. 強(qiáng)壯的熱性能：先進(jìn)的封裝技術(shù)和低熱阻確保了器件在高溫環(huán)境下的可靠性。

應(yīng)用

LBC847BDW1T1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 服務(wù)器和電信設(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)換模塊。
　　2. 工業(yè)級(jí) DC-DC 轉(zhuǎn)換器，如電動(dòng)汽車充電站或可再生能源系統(tǒng)。
　　3. 高頻 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC（功率因數(shù)校正）電路。
　　4. 消費(fèi)類快充適配器，提供小尺寸和高功率密度解決方案。
　　5. 其他需要高性能功率管理的場(chǎng)合，例如無(wú)線充電設(shè)備、激光驅(qū)動(dòng)器等。