LBC847BDW1T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,屬于寬帶隙半導(dǎo)體器�。該型號(hào)采用增強(qiáng)� GaN HEMT �(jié)�(gòu),具備高�(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),適用于高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、服�(wù)器電源、通信�(shè)備電源及新能源相�(guān)�(yīng)用等�(chǎng)��
此器件通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)提升了散熱性能,并支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電� (Vds)�650 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�12 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�40 mΩ
柵極電荷 (Qg)�45 nC
反向恢復(fù)電荷 (Qrr):無(wú)(零反向恢復(fù)�
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
LBC847BDW1T1G 具備以下主要特性:
1. 高效率:得益� GaN 的優(yōu)異材料屬�,能夠顯著降低開(kāi)�(guān)損耗和�(dǎo)通損耗,從而提升系�(tǒng)整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件具有更快的開(kāi)�(guān)速度,支持更高的工作頻率�
3. 緊湊�(shè)�(jì):更低的寄生參數(shù)使設(shè)�(jì)更緊�,同�(shí)減少外圍元件�(shù)量�
4. 零反向恢�(fù)電荷:消除了因體二極管反向恢�(fù)引起的額外損��
5. �(qiáng)壯的熱性能:先�(jìn)的封裝技�(shù)和低熱阻確保了器件在高溫�(huán)境下的可靠性�
LBC847BDW1T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 服務(wù)器和電信�(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)換模��
2. 工業(yè)�(jí) DC-DC �(zhuǎn)換器,如電動(dòng)汽車充電站或可再生能源系�(tǒng)�
3. 高頻 AC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
4. 消費(fèi)類快充適配器,提供小尺寸和高功率密度解決方案�
5. 其他需要高性能功率管理的場(chǎng)合,例如�(wú)線充電設(shè)�、激光驅(qū)�(dòng)器等�
LBC847BQW1T1G, LBG65R090MDA1E