LBC858BDW1T1G 時間：2025/5/21 19:21:28 閱讀：21

LBC858BDW1T1G是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計。該器件適用于高效率、高頻率的開關(guān)電源應(yīng)用領(lǐng)域，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，廣泛用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點調(diào)節(jié)器和電機(jī)驅(qū)動等場景。
　　其封裝形式為DFN8（2mmx2mm），這種小型化封裝有助于提高功率密度并減少系統(tǒng)體積。同時，LBC858BDW1T1G支持高效能散熱管理，并具備出色的電氣性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：7.6A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4mΩ
　　柵極電荷：13nC
　　反向恢復(fù)時間：15ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +175℃
　　封裝類型：DFN8（2mmx2mm）

特性

LBC858BDW1T1G的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率。
　　2. 快速開關(guān)能力，能夠滿足高頻應(yīng)用需求，從而減小外部元件尺寸。
　　3. 高電流承載能力，確保在大負(fù)載條件下的穩(wěn)定運行。
　　4. 良好的熱性能，即使在高功耗環(huán)境下也能保持可靠性。
　　5. 小型化的DFN封裝，適合對空間要求嚴(yán)格的現(xiàn)代電子設(shè)備。
　　6. 支持寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)多種惡劣環(huán)境。

應(yīng)用

這款功率MOSFET適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源中的同步整流電路。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及負(fù)載點調(diào)節(jié)器的設(shè)計。
　　3. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理模塊。
　　4. 工業(yè)控制與自動化中的電機(jī)驅(qū)動電路。
　　5. 通信設(shè)備中的高效能電源解決方案。
　　6. 其他需要高效率、高頻率開關(guān)操作的應(yīng)用場合。