LBC858BDW1T1G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�。該器件適用于高效率、高頻率的開�(guān)電源�(yīng)用領(lǐng)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,廣泛用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載點�(diào)節(jié)器和電機(jī)�(qū)動等場景�
其封裝形式為DFN8�2mmx2mm�,這種小型化封裝有助于提高功率密度并減少系�(tǒng)體積。同�,LBC858BDW1T1G支持高效能散熱管�,并具備出色的電氣性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�7.6A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�13nC
反向恢復(fù)時間�15ns
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
封裝類型:DFN8�2mmx2mm�
LBC858BDW1T1G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通損�,提升整體效��
2. 快速開�(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用需�,從而減小外部元件尺��
3. 高電流承載能�,確保在大負(fù)載條件下的穩(wěn)定運��
4. 良好的熱性能,即使在高功耗環(huán)境下也能保持可靠��
5. 小型化的DFN封裝,適合對空間要求�(yán)格的�(xiàn)代電子設(shè)��
6. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
這款功率MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及負(fù)載點�(diào)節(jié)器的�(shè)計�
3. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理模��
4. 工業(yè)控制與自動化中的電機(jī)�(qū)動電��
5. 通信�(shè)備中的高效能電源解決方案�
6. 其他需要高效率、高頻率開關(guān)操作的應(yīng)用場合�
LBC858BDS1T1G, LBC858BDW2T1G