LBSS4350SY3T1G 時間：2025/4/28 11:15:17 閱讀：36

LBSS4350SY3T1G 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片，采用 3D TLC 技術(shù)制造，廣泛應(yīng)用于存儲卡、固態(tài)硬盤（SSD）和嵌入式存儲設(shè)備中。該芯片具有高密度存儲能力和較低的功耗，適合需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用場景。
　　這款芯片的設(shè)計結(jié)合了先進的制程工藝和多層單元（MLC/TLC）技術(shù)，能夠在有限的空間內(nèi)提供更高的存儲容量，同時保證數(shù)據(jù)讀寫速度和可靠性。

參數(shù)

容量：256GB
　　接口類型：Toggle Mode 2.0
　　工作電壓：1.8V
　　封裝形式：BGA
　　I/O 引腳數(shù)：24
　　擦寫次數(shù)：3000 次（典型值）
　　數(shù)據(jù)保留時間：1年（在105°C條件下）
　　工作溫度范圍：-25°C 至 +85°C
　　存儲溫度范圍：-40°C 至 +125°C

特性

LBSS4350SY3T1G 使用了三星領(lǐng)先的 V-NAND 技術(shù)，通過垂直堆疊多個存儲單元層，有效提升了存儲密度并降低了單位成本。
　　該芯片支持 Toggle DDR 接口協(xié)議，可實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，最高可達 400 MT/s。
　　其內(nèi)置 ECC（錯誤檢查與糾正）功能能夠顯著提高數(shù)據(jù)可靠性，確保長時間運行中的數(shù)據(jù)完整性。
　　此外，該芯片還具備低功耗設(shè)計，非常適合對電源效率要求較高的移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
　　它符合 JEDEC 標準，并兼容多種主流存儲控制器，便于系統(tǒng)集成和開發(fā)。

應(yīng)用

LBSS4350SY3T1G 廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品領(lǐng)域，例如智能手機、平板電腦和數(shù)碼相機等的內(nèi)部存儲解決方案。
　　同時，它也適用于工業(yè)級和企業(yè)級存儲產(chǎn)品，如 SSD 和 eMMC 模塊。
　　憑借其高可靠性和大容量特點，該芯片還可用于視頻監(jiān)控、汽車電子和邊緣計算等高性能需求場景。