LBSS4350SY3T1G 是一款由三星(Samsung)生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片,采用 3D TLC 技術(shù)制造,廣泛應(yīng)用于存儲卡、固態(tài)硬盤(SSD)和嵌入式存儲設(shè)備中。該芯片具有高密度存儲能力和較低的功耗,適合需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用場景。
這款芯片的設(shè)計結(jié)合了先進的制程工藝和多層單元(MLC/TLC)技術(shù),能夠在有限的空間內(nèi)提供更高的存儲容量,同時保證數(shù)據(jù)讀寫速度和可靠性。
容量:256GB
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓:1.8V
封裝形式:BGA
I/O 引腳數(shù):24
擦寫次數(shù):3000 次(典型值)
數(shù)據(jù)保留時間:1年(在105°C條件下)
工作溫度范圍:-25°C 至 +85°C
存儲溫度范圍:-40°C 至 +125°C
LBSS4350SY3T1G 使用了三星領(lǐng)先的 V-NAND 技術(shù),通過垂直堆疊多個存儲單元層,有效提升了存儲密度并降低了單位成本。
該芯片支持 Toggle DDR 接口協(xié)議,可實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率,最高可達 400 MT/s。
其內(nèi)置 ECC(錯誤檢查與糾正)功能能夠顯著提高數(shù)據(jù)可靠性,確保長時間運行中的數(shù)據(jù)完整性。
此外,該芯片還具備低功耗設(shè)計,非常適合對電源效率要求較高的移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
它符合 JEDEC 標準,并兼容多種主流存儲控制器,便于系統(tǒng)集成和開發(fā)。
LBSS4350SY3T1G 廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品領(lǐng)域,例如智能手機、平板電腦和數(shù)碼相機等的內(nèi)部存儲解決方案。
同時,它也適用于工業(yè)級和企業(yè)級存儲產(chǎn)品,如 SSD 和 eMMC 模塊。
憑借其高可靠性和大容量特點,該芯片還可用于視頻監(jiān)控、汽車電子和邊緣計算等高性能需求場景。
K9WBG0U1AM, KBGS4R1M1F, THGAMRUCD8BA8I