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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LBSS4350SY3T1G

LBSS4350SY3T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 11:15:17 查看 閱讀�36

LBSS4350SY3T1G 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,采� 3D TLC 技�(shù)制造,廣泛�(yīng)用于存儲�、固�(tài)硬盤(SSD)和嵌入式存儲設(shè)備中。該芯片具有高密度存儲能力和較低的功�,適合需要大容量�(shù)�(jù)存儲的應(yīng)用場��
  這款芯片的設(shè)計結(jié)合了先進的制程工藝和多層單元(MLC/TLC)技�(shù),能夠在有限的空間內(nèi)提供更高的存儲容�,同時保證數(shù)�(jù)讀寫速度和可靠性�

參數(shù)

容量�256GB
  接口類型:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  I/O 引腳�(shù)�24
  擦寫次數(shù)�3000 次(典型值)
  �(shù)�(jù)保留時間�1年(�105°C條件下)
  工作溫度范圍�-25°C � +85°C
  存儲溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

LBSS4350SY3T1G 使用了三星領(lǐng)先的 V-NAND 技�(shù),通過垂直堆疊多個存儲單元層,有效提升了存儲密度并降低了單位成本�
  該芯片支� Toggle DDR 接口�(xié)�,可實現(xiàn)更快的數(shù)�(jù)傳輸速率,最高可� 400 MT/s�
  其內(nèi)� ECC(錯誤檢查與糾正)功能能夠顯著提高數(shù)�(jù)可靠�,確保長時間運行中的�(shù)�(jù)完整��
  此外,該芯片還具備低功耗設(shè)�,非常適合對電源效率要求較高的移動設(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)�(yīng)��
  它符� JEDEC 標準,并兼容多種主流存儲控制�,便于系�(tǒng)集成和開�(fā)�

�(yīng)�

LBSS4350SY3T1G 廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品領(lǐng)�,例如智能手�、平板電腦和�(shù)碼相機等的內(nèi)部存儲解決方案�
  同時,它也適用于工業(yè)級和企業(yè)級存儲產(chǎn)品,� SSD � eMMC 模塊�
  憑借其高可靠性和大容量特�,該芯片還可用于視頻�(jiān)�、汽車電子和邊緣計算等高性能需求場��

替代型號

K9WBG0U1AM, KBGS4R1M1F, THGAMRUCD8BA8I

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