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LBTN180Y3T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 17:43:38 查看 閱讀�39

LBTN180Y3T1G 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采� TO-263 封裝形式。這款芯片廣泛�(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)�、開�(guān)電源等場�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  該器件在�(shè)計時充分考慮了高效率、高可靠性和低損耗的需求,適合需要高頻開�(guān)和大電流處理的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:180V
  連續(xù)漏極電流�5.7A
  脈沖漏極電流�30A
  柵源電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:0.075Ω
  總電容:1200pF
  �(jié)溫范圍:-55� � 150�

特�

LBTN180Y3T1G 的主要特點是其出色的電氣性能和穩(wěn)定�。它具備以下�(yōu)勢:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在大電流�(yīng)用中減少功率損��
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作場��
  3. 較高的雪崩擊穿能�,增強了器件的耐用性和可靠��
  4. 采用 TO-263 封裝,有助于提高散熱性能,并且易于集成到各種電路�(shè)計中�
  5. 支持寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種工業(yè)和商�(yè)�(yīng)用場��
  這些特性使� LBTN180Y3T1G 成為許多電力電子�(shè)備中的理想選�,尤其是在需要高效能和穩(wěn)定性的條件��

�(yīng)�

LBTN180Y3T1G 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機控制和驅(qū)動電�,例如步進電�、直流無刷電機等�
  3. 各種逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
  4. 過流保護電路和負載開�(guān)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備及消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
  憑借其強大的性能,該器件在這些�(yīng)用中展現(xiàn)了卓越的效率和可靠��

替代型號

LBTN180N3T1G, IRFZ44N, FDN340P

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