LBTN180Y3T1G 時間：2025/4/30 17:43:38 閱讀：39

LBTN180Y3T1G 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），采用 TO-263 封裝形式。這款芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電源等場景，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
　　該器件在設(shè)計時充分考慮了高效率、高可靠性和低損耗的需求，適合需要高頻開關(guān)和大電流處理的應(yīng)用環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓：180V
　　連續(xù)漏極電流：5.7A
　　脈沖漏極電流：30A
　　柵源電壓：±20V
　　導(dǎo)通電阻：0.075Ω
　　總電容：1200pF
　　結(jié)溫范圍：-55℃ 至 150℃

特性

LBTN180Y3T1G 的主要特點是其出色的電氣性能和穩(wěn)定性。它具備以下優(yōu)勢：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在大電流應(yīng)用中減少功率損耗。
　　2. 高速開關(guān)能力，支持高頻工作場景。
　　3. 較高的雪崩擊穿能量，增強了器件的耐用性和可靠性。
　　4. 采用 TO-263 封裝，有助于提高散熱性能，并且易于集成到各種電路設(shè)計中。
　　5. 支持寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)多種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用場景。
　　這些特性使得 LBTN180Y3T1G 成為許多電力電子設(shè)備中的理想選擇，尤其是在需要高效能和穩(wěn)定性的條件下。

應(yīng)用

LBTN180Y3T1G 廣泛適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機控制和驅(qū)動電路，例如步進電機、直流無刷電機等。
　　3. 各種逆變器和 UPS 系統(tǒng)。
　　4. 過流保護電路和負載開關(guān)。
　　5. 工業(yè)自動化設(shè)備及消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
　　憑借其強大的性能，該器件在這些應(yīng)用中展現(xiàn)了卓越的效率和可靠性。