LBZT52B2V7T1G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體�,屬� Infineon � CoolGaN 系列。該器件專為高效率和高功率密度的應用場景設計,廣泛用于開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及充電器等設備��
這種晶體管采用增強型場效應晶體管 (e-mode FET) 結構,具有較低的導通電阻和快速的開關性能,從而顯著降低能量損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
類型:增強型場效應晶體管 (e-mode FET)
工作電壓�600 V
連續(xù)漏極電流�2.7 A
導通電阻:0.7 Ω
柵極電荷�9 nC
最大工作結溫:175 °C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
LBZT52B2V7T1G 提供了卓越的電氣性能,其主要特點包括�
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達 600 V 的電�,適用于多種高壓應用�(huán)��
2. 極低的導通電阻:僅為 0.7 Ω,在高電流條件下顯著減少功率損��
3. 快速開關能力:由于柵極電荷較低�9 nC�,可以實�(xiàn)快速的開關操作,進而降低開關損��
4. 高溫適應性:支持最� 175°C 的結�,確保在惡劣條件下穩(wěn)定運行�
5. 小巧緊湊的封裝:采用 TO-252 封裝,有助于縮小電路板空間占��
LBZT52B2V7T1G 器件適用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS):特別適合高� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. USB-PD 充電器:憑借高效率和小尺寸,成為快充解決方案的理想選擇�
3. 工業(yè)電源:如電機�(qū)動器、逆變器和其他工業(yè)控制設備�
4. 電信電源:為基站和數(shù)�(jù)中心提供高效的電源管理方案�
5. 消費類電子設備:例如筆記本電腦適配器和智能家居設備中的電源部��
LBZT52B2V7T1H