時間：2025/5/27 10:55:16
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LBZT52B2V7T1G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體管，屬于 Infineon 的 CoolGaN 系列。該器件專為高效率和高功率密度的應用場景設計，廣泛用于開關電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及充電器等設備中。
這種晶體管采用增強型場效應晶體管 (e-mode FET) 結構，具有較低的導通電阻和快速的開關性能，從而顯著降低能量損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
類型：增強型場效應晶體管 (e-mode FET)
工作電壓：600 V
連續(xù)漏極電流：2.7 A
導通電阻：0.7 Ω
柵極電荷：9 nC
最大工作結溫：175 °C
封裝形式：TO-252 (DPAK)
LBZT52B2V7T1G 提供了卓越的電氣性能，其主要特點包括：
1. 高擊穿電壓：能夠承受高達 600 V 的電壓，適用于多種高壓應用環(huán)境。
2. 極低的導通電阻：僅為 0.7 Ω，在高電流條件下顯著減少功率損耗。
3. 快速開關能力：由于柵極電荷較低（9 nC），可以實現(xiàn)快速的開關操作，進而降低開關損耗。
4. 高溫適應性：支持最高 175°C 的結溫，確保在惡劣條件下穩(wěn)定運行。
5. 小巧緊湊的封裝：采用 TO-252 封裝，有助于縮小電路板空間占用。
LBZT52B2V7T1G 器件適用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS)：特別適合高頻 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. USB-PD 充電器：憑借高效率和小尺寸，成為快充解決方案的理想選擇。
3. 工業(yè)電源：如電機驅(qū)動器、逆變器和其他工業(yè)控制設備。
4. 電信電源：為基站和數(shù)據(jù)中心提供高效的電源管理方案。
5. 消費類電子設備：例如筆記本電腦適配器和智能家居設備中的電源部分。
LBZT52B2V7T1H
