LBZT52C2V7T1G 時間：2025/4/30 17:58:56 閱讀：29

LBZT52C2V7T1G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的功率晶體管，采用先進的封裝形式以提升散熱性能和電氣效率。該器件主要應用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及高效率的電力電子系統(tǒng)中。它具有低導通電阻、快速開關速度和高耐壓能力，可顯著提高系統(tǒng)的功率密度并降低能量損耗。
　　此型號是專為工業(yè)和汽車級應用設計的高性能功率半導體器件，其設計符合嚴格的可靠性和穩(wěn)定性要求。

參數(shù)

最大漏源電壓：200V
　　連續(xù)漏極電流：9A
　　導通電阻：2.7mΩ
　　柵極電荷：65nC
　　反向恢復時間：45ns
　　工作結溫范圍：-55℃ to 150℃

特性

LBZT52C2V7T1G 具備以下關鍵特性：
　　1. 高效的氮化鎵（GaN）技術提供更低的導通電阻和更快的開關速度，從而減少傳導和開關損耗。
　　2. 強大的熱管理設計，通過優(yōu)化的封裝結構實現(xiàn)更高的功率密度。
　　3. 內置保護功能，包括過流保護和短路保護，確保在異常條件下的可靠性。
　　4. 小型化封裝，適合緊湊型設計需求。
　　5. 符合AEC-Q101標準，適用于嚴苛環(huán)境下的汽車應用。

應用

這款功率晶體管廣泛應用于各種高效能電力電子領域，例如：
　　1. 汽車中的48V-12V雙向DC-DC轉換器。
　　2. 數(shù)據(jù)中心及服務器中的高密度AC-DC電源模塊。
　　3. 工業(yè)自動化設備中的伺服驅動器和逆變器。
　　4. 快速充電器和其他消費類電子產品中的高頻開關電源。
　　5. 太陽能微逆變器等新能源應用中的高效能量轉換系統(tǒng)。