LBZT52C2V7T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的功率晶體�,采用先進的封裝形式以提升散熱性能和電氣效率。該器件主要應用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及高效率的電力電子系�(tǒng)中。它具有低導通電�、快速開關速度和高耐壓能力,可顯著提高系統(tǒng)的功率密度并降低能量損耗�
此型號是專為工業(yè)和汽車級應用設計的高性能功率半導體器�,其設計符合嚴格的可靠性和�(wěn)定性要��
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻:2.7mΩ
柵極電荷�65nC
反向恢復時間�45ns
工作結溫范圍�-55� to 150�
LBZT52C2V7T1G 具備以下關鍵特性:
1. 高效的氮化鎵(GaN)技術提供更低的導通電阻和更快的開關速度,從而減少傳導和開關損��
2. 強大的熱管理設計,通過�(yōu)化的封裝結構實現(xiàn)更高的功率密��
3. 內置保護功能,包括過流保護和短路保護,確保在異常條件下的可靠��
4. 小型化封裝,適合緊湊型設計需��
5. 符合AEC-Q101標準,適用于嚴苛�(huán)境下的汽車應��
這款功率晶體管廣泛應用于各種高效能電力電子領�,例如:
1. 汽車中的48V-12V雙向DC-DC轉換��
2. �(shù)�(jù)中心及服務器中的高密度AC-DC電源模塊�
3. 工業(yè)自動化設備中的伺服驅動器和逆變器�
4. 快速充電器和其他消費類電子產品中的高頻開關電源�
5. 太陽能微逆變器等新能源應用中的高效能量轉換系�(tǒng)�
LBZT52C2V7T2G, LBZT52C2V8T1G