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LBZT52MB8V2T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 16:34:27 查看 閱讀�28

LBZT52MB8V2T1G是一種基于氮化鎵(GaN)技術的功率晶體�,屬于高效能寬禁帶半導體器件。該芯片專為高頻、高效率的電源轉換應用設�,具有低導通電阻和快速開關特�。其主要應用于開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體體��
  該器件采用DFN封裝形式,具備極佳的散熱性能和電氣穩(wěn)定性,同時支持高電流密度運�,滿足現(xiàn)代電力電子設備對高性能和小型化的雙重需求�

參數(shù)

型號:LBZT52MB8V2T1G
  類型:GaN功率晶體�
  封裝:DFN8
  額定電壓�650V
  額定電流�8A
  導通電阻:35mΩ
  柵極電荷�45nC
  反向恢復時間�10ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  最大功耗:100W

特�

LBZT52MB8V2T1G的核心優(yōu)勢在于其使用了先進的GaN技�,這使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色�
  1. 高效開關性能:得益于GaN材料的獨特性質,該器件能夠在極高頻率下保持較低的能量損�,從而實�(xiàn)更高的系�(tǒng)效率�
  2. 快速動�(tài)響應:極短的反向恢復時間和低柵極電荷確保了瞬�(tài)響應能力�(yōu)秀,適用于復雜負載條件下的�(wěn)定運��
  3. 小型化與集成性:相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,GaN晶體管可以大幅減少外圍元件數(shù)�,并允許更緊湊的設計�
  4. 熱管理優(yōu)化:DFN8封裝結合低熱阻設計,保證了長時間高負載運行時的可靠��
  5. 寬廣的工作溫度范圍:無論是低溫環(huán)境還是高溫工況,此器件均能提供穩(wěn)定的電氣性能�

應用

LBZT52MB8V2T1G廣泛用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS):包括適配器、充電器及服務器電源�,助力實�(xiàn)更高的功率密度�
  2. DC-DC轉換器:適用于汽車電�、工�(yè)自動化等領域,支持大電流輸出和快速動�(tài)調節(jié)�
  3. 無線充電模塊:由于其高頻特性和低損耗特�,在無線充電系統(tǒng)中可顯著提升能量傳輸效率�
  4. 電機驅動:在電動工具、無人機及其他便攜式設備中用作主驅動電路,增強系�(tǒng)的動�(tài)性能�
  5. 光伏逆變器:用于微型逆變器或�(yōu)化器設計,提高光伏能源轉換效��

替代型號

LBG75TB8V2T1G
  LMG3411R030
  STGAP100N06HD
  GXT65R035A6LS

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