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LC4064V-75TN100-10I 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/4 10:29:20 查看 閱讀:12

LC4064V-75TN100-10I 是一款基于 CMOS 工藝的低功耗靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。該芯片具有高速讀寫(xiě)能力、低功耗特性和高可靠性,適用于工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)場(chǎng)景。其封裝形式為 TSSOP-100,工作電壓范圍廣,支持多種供電模式。
  這款 SRAM 提供了 4M x 16 的存儲(chǔ)容量配置,能夠滿足高性能嵌入式系統(tǒng)對(duì)大容量快速存儲(chǔ)的需求。此外,它還集成了自動(dòng)省電功能,在不需要訪問(wèn)內(nèi)存時(shí)可以顯著降低功耗。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量:4M x 16位(8MB)
  工作電壓:1.7V 至 1.9V
  訪問(wèn)時(shí)間:7ns
  數(shù)據(jù)保持時(shí)間:無(wú)限(只要電源正常工作)
  封裝形式:TSSOP-100
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  I/O 電壓:1.7V 至 1.9V
  待機(jī)功耗:<2μW(典型值)
  工作頻率:最高 143MHz

特性

LC4064V-75TN100-10I 具有以下主要特性:
  1. 高速性能:支持高達(dá) 143MHz 的時(shí)鐘頻率,確�?焖俚臄�(shù)據(jù)傳輸與處理。
  2. 靜態(tài) RAM 技術(shù):無(wú)需刷新操作即可保存數(shù)據(jù),簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
  3. 超低功耗:在待機(jī)模式下消耗極低的電流,非常適合電池供電設(shè)備。
  4. 可靠性高:具備數(shù)據(jù)保持功能,在掉電前可長(zhǎng)期保存信息。
  5. 寬工作電壓范圍:兼容多種供電環(huán)境,增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性。
  6. 商業(yè)級(jí)及工業(yè)級(jí)溫度范圍:滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定運(yùn)行需求。
  7. 自動(dòng)節(jié)電模式:通過(guò)檢測(cè)活動(dòng)狀態(tài)減少不必要的能量損耗。

應(yīng)用

LC4064V-75TN100-10I 廣泛應(yīng)用于需要大容量高速緩存或臨時(shí)存儲(chǔ)的場(chǎng)合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備:路由器、交換機(jī)等設(shè)備中的包緩沖存儲(chǔ)。
  2. 嵌入式系統(tǒng):如工業(yè)控制器、醫(yī)療儀器、測(cè)試測(cè)量裝置中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
  3. 圖形處理單元:用作顯存擴(kuò)展或幀緩沖區(qū)。
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:數(shù)碼相機(jī)、打印機(jī)、游戲機(jī)中的圖像或音頻緩存。
  5. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng):實(shí)時(shí)記錄傳感器數(shù)據(jù)并進(jìn)行快速處理。
  6. 物聯(lián)網(wǎng)終端:作為本地存儲(chǔ)以優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)帶寬使用。

替代型號(hào)

LC4064V-75TNG100-10I
  IS61LV4096AL-10TI
  CY62LV1024FBJ-70SXI
  AS4C16M16SA-10TCN

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