LDLN025PU28R 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的功率場效應晶體管 (Power FET),專為高頻和高效率應用場景設�。該器件采用了先進的封裝工藝,能�?qū)崿F(xiàn)低開關損耗和高功率密�。其主要應用于開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等領域�
這款芯片具備極低的導通電阻和快速的開關特性,有助于提升整體系�(tǒng)的能效表�(xiàn)。同時,其高擊穿電壓能力也使其能夠在嚴苛的工作條件下�(wěn)定運��
最大漏源電壓:250V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:28mΩ
柵極電荷�65nC
開關頻率:高�5MHz
工作溫度范圍�-40℃至+150�
封裝形式:TO-247-3L
LDLN025PU28R 的主要特點包括:
1. 超低導通電阻(28mΩ�,可顯著減少傳導損��
2. 高開關速度,支持高�5MHz的工作頻�,非常適合高頻應��
3. �(nèi)置過流保護和熱關斷功�,確保系�(tǒng)可靠性�
4. 出色的熱性能,允許在高結(jié)溫下操作�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關模式電源(SMPS),例如AC-DC適配器和充電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,如電信設備中的中間總線�(zhuǎn)換器�
3. 電機�(qū)動與控制,特別適用于高效無刷直流電機(BLDC)�(qū)動�
4. 新能源領�,如太陽能微型逆變器和電動車車載充電器(OBC)�
5. 快速充電技術相關產(chǎn)�,提供更高的充電效率�
LDLN025PU25R
LDLN025PU30R