LDM182G5010YC025是一款高性能的MOSFET功率晶體�,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,廣泛用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�34A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�97nC
總電容:1800pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
LDM182G5010YC025具有極低的導(dǎo)通電�,可以顯著減少傳�(dǎo)損�,從而提高整體能�。此�,其快速開(kāi)�(guān)特性使得動(dòng)�(tài)損耗得以降低,非常適合高頻�(yīng)��
器件采用D2PAK封裝形式,具備良好的散熱性能,可滿足大功率應(yīng)用的需�。同�(shí),其高雪崩能量能力增�(qiáng)了在異常工作條件下的可靠��
此外,LDM182G5010YC025支持寬范圍的工作溫度,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,適用于工業(yè)及汽車級(jí)�(yīng)用場(chǎng)��
該器件主要應(yīng)用于高效能開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)�(shè)�(jì),包括AC-DC適配器、服�(wù)器電源以及通信電源��
另外,在電機(jī)控制�(lǐng)�,它可以用作H橋或半橋�(qū)�(dòng)中的�(guān)鍵元�,提供精�(zhǔn)且高效的功率傳輸�
LDM182G5010YC025還常�(jiàn)于電�(dòng)汽車的電池管理系�(tǒng)(BMS)和電�(dòng)工具�,以�(shí)�(xiàn)�(duì)電流的精確控制�
LDM182G4010YC025, LDM182G5015YC025