時間�2025/5/10 9:32:32
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LDTC114EN3T5G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體�，適用于高頻和高效率應用。該器件采用增強型常� (E-mode) 氮化鎵技�，具有低導通電�、高開關速度和高功率密度的特�。其封裝形式為表面貼� (SMD)，適合自動化生產，并能有效降低寄生電感對高頻性能的影響�
這款 GaN 功率晶體管主要針對高性能電源轉換市場設計，例� DC-DC 轉換�、通信電源、工�(yè)電源、服務器電源��
最大漏源電壓：100V
最大柵極電壓：6V
連續(xù)漏極電流�4A
導通電阻：7mΩ
開關頻率：支持高�5MHz
結溫范圍�-55℃至+150�
封裝類型：TO-Leadless（無引腳�
LDTC114EN3T5G 的主要特性包括：
1. 高效的氮化鎵技術，具備更低的導通電阻和更少的能量損��
2. 支持超高開關頻率（高� 5MHz�，可顯著減少無源元件尺寸并提升功率密��
3. 內部集成 ESD 保護電路，增強了器件在實際應用中的可靠性�
4. 增強型常� (E-mode) 設計，無需額外的負柵極驅動電壓，簡化了驅動設計�
5. 表面貼裝封裝形式，減少了寄生效應，提高了高頻性能�
6. 廣泛的工作溫度范圍（-55� � +150℃），適應各種惡劣環(huán)境�
LDTC114EN3T5G 主要應用于以下領域：
1. 高頻 DC-DC 轉換��
2. 通信設備中的高效電源模塊�
3. 工業(yè)電源系統(tǒng)�
4. 數據中心和服務器電源供應�
5. 無線充電及便攜式電子設備電源管理�
6. 其他需要高效率和小型化的電力轉換應用場景�
LDTB114EN3T5G, LDC114EN3T5G
