LDTC143ZET1G 是一款由 ROHM(羅姆)公司生產(chǎn)的基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率、高頻開�(guān)晶體�。該器件采用了先�(jìn)� GaN 工藝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合應(yīng)用于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、功率因�(shù)校正(PFC�、無(wú)線充電以及其它高效能電源管理�(lǐng)��
與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,LDTC143ZET1G 在高頻工作條件下展現(xiàn)出顯著的�(yōu)�(shì),能夠有效降低開�(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率�
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
額定電壓�650V
額定電流�8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):150mΩ
柵極電荷�25nC
最大工作溫度范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
LDTC143ZET1G 具備以下主要特性:
1. 高頻開關(guān)能力:由于采用氮化鎵技�(shù),其開關(guān)速度�(yuǎn)超傳�(tǒng)的硅� MOSFET,從而降低了開關(guān)損�,并允許使用更小體積的無(wú)源元件�
2. 低導(dǎo)通電阻:150mΩ � Rds(on) 值使其在�(dǎo)通狀�(tài)下具有更低的功��
3. 快速恢�(fù)�(shí)間:得益� GaN 技�(shù),其反向恢復(fù)�(shí)間和二極管效�(yīng)幾乎可以忽略不計(jì)�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下也能保持較高的性能�(wěn)定��
5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)� MOSFET 柵極�(qū)�(dòng)電路,便于直接替代現(xiàn)有的硅基解決方案�
6. 封裝�(yōu)�(shì):TO-263 封裝提供良好的散熱性能,適合功率密度要求較高的�(yīng)��
LDTC143ZET1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
2. 功率因數(shù)校正(PFC)電��
3. �(wú)線充電發(fā)射端及接收端模塊�
4. 開關(guān)電源適配��
5. 電動(dòng)汽車車載充電器(OBC��
6. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制器�
7. 可再生能源逆變�,例如太�(yáng)能微型逆變器�
其高頻特性和高效表現(xiàn)使得它成為許多高功率密度和高性能需求場(chǎng)景的理想選擇�
LDMOSFET系列中某些型�(hào)如LDTC143SET1G