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LG1131A 時(shí)間：2025/5/7 14:50:39 閱讀：28

LG1131A是一款由ON Semiconductor公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件通常用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用中，具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和高電流處理能力的特點(diǎn)。
　　該MOSFET采用了TO-252封裝形式（也稱為DPAK），適合表面貼裝工藝。由于其出色的電氣性能和可靠性，LG1131A在工業(yè)控制、消費(fèi)電子以及通信設(shè)備領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：8.7A
　　導(dǎo)通電阻：40mΩ
　　柵極電荷：11nC
　　總功耗：1.6W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to 150℃

特性

LG1131A的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，有助于提高系統(tǒng)效率。
　　3. 提供優(yōu)秀的熱性能，確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
　　4. 具備ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適用于多種現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)需求。
　　6. 支持表面貼裝技術(shù)，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和組裝過(guò)程。

應(yīng)用

LG1131A適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流電路。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開(kāi)關(guān)或續(xù)流二極管替代。
　　3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的半橋或全橋配置。
　　5. 各種負(fù)載開(kāi)關(guān)及保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
　　6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、平板充電器等中的功率管理模塊。