時間：2025/4/29 11:23:22
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LG1152AN-B2 是一款由 ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的 N 沃特（N-Channel）功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負(fù)載切換以及其他需要高效功率管理的場景。該器件采用了先進的制造工藝，能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和高效率的開關(guān)性能，同時具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。
LG1152AN-B2 的設(shè)計目標(biāo)是為各種工業(yè)及消費類電子應(yīng)用提供高性能和高性價比的解決方案。
最大漏源電壓（Vds）：60V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
最大連續(xù)漏極電流（Id）：134A
最大脈沖漏極電流（Idm）：320A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.5mΩ
總柵極電荷（Qg）：82nC
輸入電容（Ciss）：5900pF
輸出電容（Coss）：370pF
反向傳輸電容（Crss）：180pF
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on) = 1.5mΩ @ Vgs = 10V），可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力（Id = 134A），適合大功率應(yīng)用場景。
3. 快速開關(guān)性能，得益于較低的柵極電荷（Qg = 82nC）。
4. 采用 D2PAK 封裝形式，具備良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。
6. 工作溫度范圍寬廣（-55°C 至 +175°C），適用于惡劣環(huán)境下的可靠運行。
7. 內(nèi)置防靜電保護機制，增強器件的抗干擾能力。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 電機驅(qū)動電路中作為功率級開關(guān)。
3. 負(fù)載切換與保護電路中的功率開關(guān)。
4. 逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及其他功率轉(zhuǎn)換設(shè)備。
5. 工業(yè)自動化控制系統(tǒng)的功率輸出級。
6. 大電流負(fù)載的通斷控制，如汽車電子中的啟動控制模塊。
7. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的充放電控制開關(guān)。
IRF260N, STP100NF10, FDP150AN
