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LGE3549XS P21 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 22:23:53 查看 閱讀:12

LGE3549XS P21是一款高性能的功率MOSFET晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效率電力電子設(shè)備中。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,非常適合在高頻、高壓環(huán)境下工作。
  該型號(hào)為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其封裝形式通常為TO-220或TO-247,具體根據(jù)制造商版本略有不同。由于其出色的電氣性能和可靠性,LGE3549XS P21被許多設(shè)計(jì)工程師視為高功率應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:12A
  導(dǎo)通電阻(典型值):0.18Ω
  總功耗:160W
  結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
  輸入電容:1000pF
  反向傳輸電容:350pF
  開關(guān)時(shí)間(典型值):開通延遲時(shí)間:45ns,關(guān)斷傳播時(shí)間:25ns

特性

LGE3549XS P21具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 高耐壓能力,支持高達(dá)600V的工作電壓,適用于多種高壓應(yīng)用場景。
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),典型值僅為0.18Ω,有效降低了導(dǎo)通損耗。
  3. 快速開關(guān)速度,確保了高效能表現(xiàn),尤其適合高頻電路。
  4. 強(qiáng)大的散熱能力,能夠承受較高的結(jié)溫范圍(-55℃至175℃),適應(yīng)惡劣環(huán)境。
  5. 出色的可靠性和穩(wěn)定性,滿足工業(yè)級(jí)及汽車級(jí)應(yīng)用需求。
  6. 支持大電流操作,連續(xù)漏極電流可達(dá)12A,峰值電流更高。
  這些特性使得LGE3549XS P21成為高效率電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵元件。

應(yīng)用

LGE3549XS P21主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括適配器、充電器和各種AC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制步進(jìn)電機(jī)、無刷直流電機(jī)(BLDC)和其他類型的電動(dòng)機(jī)。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器:在分布式電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:如可編程邏輯控制器(PLC)、伺服驅(qū)動(dòng)器等。
  5. 汽車電子:包括啟動(dòng)馬達(dá)、雨刷控制系統(tǒng)、電動(dòng)車窗驅(qū)動(dòng)等。
  6. 照明系統(tǒng):例如LED驅(qū)動(dòng)電路和高強(qiáng)度放電燈(HID)鎮(zhèn)流器。
  該芯片因其卓越性能而廣泛應(yīng)用于上述各類場景。

替代型號(hào)

IRF840, STP12NM60, FQP13N60

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