LGE5812B是一款高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率的能量�(zhuǎn)�,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性�
型號(hào):LGE5812B
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
功�(PD)�130W
工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
LGE5812B具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少能量損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
3. 出色的熱性能,確保在高負(fù)載條件下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
4. �(qiáng)大的抗靜電能�(ESD),提高了器件的可靠性和使用壽命�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
LGE5812B主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)��
2. 各種DC-DC�(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
5. 充電器和適配器等便攜式電子設(shè)備的功率�(zhuǎn)換部��
IRF540N
STP55NF06
FDP5550