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LGT67F-R2-2-K3-20 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 3:28:24 查看 閱讀：9

LGT67F-R2-2-K3-20是一種高性能的功率MOSFET芯片，主要應(yīng)用于高效率開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，能夠顯著提升電路的整體性能。
　　該型號(hào)屬于R2系列，其優(yōu)化設(shè)計(jì)使其在高溫環(huán)境下依然保持穩(wěn)定的工作特性。此外，LGT67F-R2-2-K3-20還具備強(qiáng)大的抗電磁干擾能力，適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)用。

參數(shù)

類型：N溝道增強(qiáng)型
　　最大漏源電壓Vds：650V
　　最大柵源電壓Vgs：±20V
　　最大漏極電流Id：14A
　　導(dǎo)通電阻Rds(on)：0.2Ω
　　總功耗Ptot：180W
　　結(jié)溫范圍Tj：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247

特性

LGT67F-R2-2-K3-20采用了最新的硅基材料技術(shù)，具有以下特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功率損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，支持高頻應(yīng)用，減少磁性元件體積。
　　3. 強(qiáng)大的雪崩能量吸收能力，確保在異常工作條件下仍能保持可靠性。
　　4. 內(nèi)置保護(hù)電路，包括過(guò)流保護(hù)和熱關(guān)斷功能。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　6. 具備良好的散熱性能，適合高功率密度應(yīng)用。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)，如適配器、充電器等。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于家用電器、工業(yè)設(shè)備等。
　　3. 逆變器系統(tǒng)，如太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)。
　　4. 電動(dòng)工具和汽車電子中的功率控制模塊。
　　5. LED照明驅(qū)動(dòng)電路，提供高效的功率轉(zhuǎn)換方案。

替代型號(hào)

LGT67F-R2-2-K2-20
　　LGT67G-R2-2-K3-20
　　IRFP460

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