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LH28F008BJT-BTLZI 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 19:39:40 查看 閱讀:45

LH28F008BJT-BTLZI 是一款由日本廠商羅姆(ROHM)生產(chǎn)的8Mbit(1Mb x 8)高速低功耗CMOS靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。該芯片采用BGA封裝,具有高可靠性和低功耗特性,適用于需要快速數(shù)據(jù)訪問和穩(wěn)定性能的工業(yè)及消費(fèi)類電子應(yīng)用。其工作電壓范圍較寬,并支持多種操作模式,適合于嵌入式系統(tǒng)、通信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等場景。

參數(shù)

容量:8Mbit
  組織結(jié)構(gòu):1Mb x 8
  工作電壓:2.7V至3.6V
  待機(jī)電流:5μA(典型值)
  工作電流:20mA(典型值)
  存取時(shí)間:10ns(最大值)
  封裝形式:BGA
  引腳數(shù):48
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C

特性

LH28F008BJT-BTLZI 具備以下主要特性:
  1. 高速性能:能夠?qū)崿F(xiàn)10ns的存取時(shí)間,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝浴?br>  2. 低功耗設(shè)計(jì):在待機(jī)狀態(tài)下電流僅為5μA,極大降低了系統(tǒng)的整體功耗。
  3. 寬電壓范圍:支持2.7V至3.6V的工作電壓,適應(yīng)不同電源環(huán)境。
  4. 靜電防護(hù)功能:具備較強(qiáng)的ESD保護(hù)能力,提高了器件的抗干擾能力。
  5. 高可靠性:經(jīng)過嚴(yán)格的測試流程,能夠在惡劣環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 小型化封裝:BGA封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用場合。

應(yīng)用

LH28F008BJT-BTLZI 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 嵌入式系統(tǒng):如工控設(shè)備中的緩存存儲(chǔ)器。
  2. 通信設(shè)備:例如路由器、交換機(jī)和其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
  3. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:如高端游戲機(jī)和多媒體播放器的數(shù)據(jù)緩沖。
  4. 醫(yī)療設(shè)備:用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集與處理的高性能設(shè)備。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:PLC控制器和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中作為高速緩存。

替代型號(hào)

LH28F008BJT-BTLZI 的替代型號(hào)包括但不限于:IS61LV256AL、CY62256EV30LL、AS6C1008。這些替代型號(hào)均具有相似的容量和性能指標(biāo),但可能在封裝形式或電氣特性上略有差異,需根據(jù)具體應(yīng)用場景進(jìn)行選擇。

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