LL55C15V 時(shí)間：2025/5/27 9:56:37 閱讀：16

LL55C15V是一種用于功率轉(zhuǎn)換和電源管理的高壓MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種工業(yè)電子設(shè)備中。它具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度等特性，適合于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　LL55C15V的設(shè)計(jì)使其能夠在高壓條件下提供高效的功率傳輸，并且具備良好的熱性能以確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。

參數(shù)

最大漏源極電壓：700V
　　最大柵源極電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：4.3A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4.8Ω
　　總柵極電荷：28nC
　　輸入電容：600pF
　　輸出電容：450pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：75ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C至+150°C

特性

LL55C15V采用了先進(jìn)的制造工藝，具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 高耐壓能力：其700V的額定電壓使得該器件非常適合高壓環(huán)境的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度：由于其較低的柵極電荷和反向恢復(fù)時(shí)間，能夠有效減少開(kāi)關(guān)損耗并提高效率。
　　3. 低導(dǎo)通電阻：有助于降低傳導(dǎo)損耗，從而提升整體系統(tǒng)效率。
　　4. 穩(wěn)定的熱性能：即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài)。
　　5. 小型化封裝：占用更少的PCB空間，方便設(shè)計(jì)布局。

應(yīng)用

LL55C15V主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　4. 能量管理系統(tǒng)
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
　　6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的輔助功能模塊
　　這種器件特別適用于要求高效率、高可靠性和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。