LM1MA142WAT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,廣泛應(yīng)用于高頻、高效能功率�(zhuǎn)換場景。該器件具有出色的開�(guān)性能和低導通電阻特�,適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電以及各類電源管理系�(tǒng)�
這款芯片由德州儀器(TI)生�(chǎn),采用增強型�(shè)計,能夠在高電壓下穩(wěn)定運�,同時提供更高的效率和更小的體積解決方案�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�6A
導通電阻:7mΩ
柵極電荷�30nC
輸入電容�520pF
反向恢復時間�10ns
工作溫度范圍�-40� � +125�
LM1MA142WAT1G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,有助于減少導通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合,可顯著降低磁性元件的尺寸�
3. �(nèi)置ESD保護電路,增強了器件在實際應(yīng)用中的魯棒��
4. 小型封裝�(shè)�,能夠有效節(jié)省PCB空間�
5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
6. 支持寬禁帶半導體技�(shù),與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,效率更高且散熱需求更��
LM1MA142WAT1G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 無線充電模塊�
3. LED�(qū)動電��
4. 電動汽車充電樁�
5. 太陽能逆變��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理部��
7.配器�
LMG3411R030
IRGB4063DPBF
STGAP1S