LM5D40N10是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型器�。該芯片廣泛應用于電源管�、電機驅動以及開關電路等領域,能夠提供高效的電流控制和低導通電阻特�。LM5D40N10以其卓越的耐壓能力和快速開關速度著稱,適合多種工�(yè)及消費類電子產品中的應用�
最大漏源電壓:100V
最大漏極電流:40A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�28nC
總功耗:230W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
LM5D40N10具有以下顯著特點�
1. 高擊穿電壓(100V)使其適用于高壓�(huán)境下的開關操��
2. 極低的導通電阻(�4mΩ)降低了功率損耗,提高了效��
3. 快速開關能力得益于其較低的柵極電荷值(28nC��
4. �(yōu)化的熱性能確保在高電流應用中具備良好的散熱效果�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃到+175℃)適應各種惡劣條件下的使用需��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
該芯片可應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中的主開關元件�
2. 各種電機驅動電路,例如無刷直流電機控制器�
3. 工業(yè)自動化設備中的功率開��
4. 照明系統(tǒng),包括LED驅動器和�(zhèn)流器�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路�
6. 其他需要高效功率管理的場景,如電池管理系統(tǒng)(BMS��