LMBR0540FT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率轉換芯�,廣泛應用于電源管理領域。該器件采用先進的封裝技術,能夠提供更高的功率密度和更低的開關損�,適用于高頻開關應用。LMBR0540FT1G 的設計優(yōu)化了散熱性能,并且具備出色的可靠性和�(wěn)定��
該芯片主要針對需要高性能、高頻率工作的應用場�,例如服務器電源、通信設備、工�(yè)電源以及消費類電子產品的快充適配器等�
型號:LMBR0540FT1G
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650 V
額定電流�40 A
導通電阻:4.5 mΩ
最大工作溫度:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
開關頻率:高� 2 MHz
柵極電荷�20 nC
反向恢復時間:無(由� GaN 材料特性)
LMBR0540FT1G 具備以下顯著特性:
1. 高效的功率轉換能�,得益于 GaN 技術的低開關損耗和導通電��
2. 支持高達 2 MHz 的開關頻率,使得磁性元件尺寸更�,系�(tǒng)更加緊湊�
3. 無反向恢復電�,提高了整體效率并降低了電磁干擾 (EMI)�
4. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運��
5. 內置保護功能,如過流保護和短路保護,提升了系�(tǒng)的可靠��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設計中�
這些特點� LMBR0540FT1G 成為下一代高效能電源解決方案的理想選擇�
LMBR0540FT1G 廣泛應用于以下領域:
1. �(shù)�(jù)中心和服務器電源模塊�
2. 通信基站中的 AC/DC � DC/DC 轉換��
3. 工業(yè)自動化設備中的高頻電源單元�
4. 消費類電子產品快速充電器�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設備�
6. 電動汽車 (EV) 充電樁及車載充電��
其卓越的性能使其成為眾多高要求應用場合的核心組件�
LMBR0540FTH1G, LMG3411R030