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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LMBT35200MT1G

LMBT35200MT1G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 20:13:55 查看 閱讀�11

LMBT35200MT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高�、高效能�(yīng)用設(shè)�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合用于高頻功率轉(zhuǎn)換器、射頻放大器和其他高性能電路��
  這款芯片采用先進的封裝技�(shù),能夠有效提升散熱性能并降低寄生參�(shù)的影�,從而提高整體系�(tǒng)效率。其出色的性能使其成為傳統(tǒng)硅基晶體管的理想替代方案�

參數(shù)

型號:LMBT35200MT1G
  類型:增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
  最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�45mΩ
  柵極電荷�90nC
  反向恢復(fù)電荷:無(由于是單極性器件)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-4L

特�

LMBT35200MT1G 的主要特性包括:
  1. 極高的開�(guān)速度,可顯著降低開關(guān)損��
  2. 氮化鎵材料帶來了�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和更高的功率密度�
  3. 集成了柵極驅(qū)動保護電�,增強了器件的魯棒��
  4. 低寄生電感封裝,�(yōu)化了高頻性能�
  5. 支持硬開�(guān)和軟開關(guān)拓撲,適用于多種�(yīng)用場��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠性高�
  這些特性使� LMBT35200MT1G 成為高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)�、電機驅(qū)動器以及太陽能逆變器等�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

LMBT35200MT1G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 射頻功率放大器�
  3. 太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)�
  4. 電動汽車充電�(shè)備�
  5. 工業(yè)電源和電機驅(qū)��
  6. 無線充電和能量傳輸系�(tǒng)�
  由于其高效的開關(guān)特性和高溫�(wěn)定�,該器件在需要高功率密度和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號

LMBT34200MT1G, LMG3410R070

lmbt35200mt1g推薦供應(yīng)� 更多>

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