LMG3411R050 是一款由德州儀� (TI) 開發(fā)的基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的集成半橋功率級芯片。它專為高效�、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),例如服�(wù)器電�、電信整流器、工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和太陽能逆變器等。該器件集成了兩�(gè) 600V � GaN 場效�(yīng)晶體� (FET),具有超低的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速開�(guān)性能�
LMG3411R050 �(nèi)部還集成了柵極驅(qū)�(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換電路以及保�(hù)功能,可以顯著簡化系�(tǒng)�(shè)�(jì)并提升整體性能�
額定電壓�600V
�(dǎo)通電� (Rds(on))�50mΩ
最大電流:27A
開關(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝類型:QFN-16 (5mm x 6mm)
輸入電容�10pF
反向恢復(fù)電荷:無 (零反向恢�(fù))
功耗:典型� 9W
LMG3411R050 使用了增�(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) 技�(shù),具有以下特�(diǎn)�
1. 高效率:由于其超低的 Rds(on) 和零反向恢復(fù)損�,能�?qū)崿F(xiàn)更高的能��
2. 快速開�(guān)能力:支持高�(dá) 5MHz 的開�(guān)頻率,可顯著減小磁性元件體積和系統(tǒng)尺寸�
3. 簡化� PCB �(shè)�(jì):內(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)器,減少了外部元件數(shù)��
4. �(qiáng)大的保護(hù)功能:提供過流保�(hù)、短路保�(hù)和欠壓鎖定等功能,提高了系統(tǒng)的可靠��
5. 熱性能�(yōu)異:采用 QFN 封裝,底部金屬墊片有助于高效散熱�
6. 寬工作溫度范圍:適用于各種惡劣環(huán)境下的工�(yè)和商�(yè)�(yīng)用�
LMG3411R050 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高頻操作的場景,包括但不限于:
1. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中的高� AC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的伺服驅(qū)�(dòng)器和�(yùn)�(dòng)控制��
4. 電動(dòng)汽車充電站和其他高性能電源管理系統(tǒng)�
5. 高頻 DC/DC 變換器和多相 Buck �(zhuǎn)換器�
6. 激光雷�(dá) (LiDAR) 系統(tǒng)中的脈沖�(qū)�(dòng)電源�
LMG3410R070, LMG3411R150