LMSZ5236BT1G 時間：2025/5/8 12:14:33 閱讀：28

LMSZ5236BT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片，專為高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和無線充電應(yīng)用設(shè)計。該芯片集成了 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET) 和驅(qū)動器，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，從而提高了整體效率并減小了系統(tǒng)尺寸。
　　該器件采用小型化的 QFN 封裝形式，便于在緊湊型設(shè)計中使用，并且能夠顯著降低電磁干擾 (EMI)。其內(nèi)置保護功能包括過流保護、過溫保護以及短路保護，確保了在各種工況下的穩(wěn)定運行。

參數(shù)

型號：LMSZ5236BT1G
　　封裝類型：QFN
　　額定電壓：600V
　　額定電流：4A
　　導(dǎo)通電阻：150mΩ
　　最大工作溫度：-40℃ 至 +150℃
　　開關(guān)頻率：高達 10MHz
　　輸入電容：7nF
　　輸出電容：2nF
　　柵極電荷：30nC

特性

LMSZ5236BT1G 的主要特性包括：
　　1. 高效氮化鎵技術(shù)，具備超低導(dǎo)通電阻，能夠有效減少功耗。
　　2. 快速開關(guān)速度支持高頻操作，有助于縮小磁性元件和濾波器的體積。
　　3. 內(nèi)置驅(qū)動器優(yōu)化了開關(guān)性能并簡化了外圍電路設(shè)計。
　　4. 強大的熱管理能力，使其能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。
　　5. 多種保護機制集成于單一封裝內(nèi)，增強了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適用于全球市場。

應(yīng)用

LMSZ5236BT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，尤其是在筆記本電腦適配器和服務(wù)器電源中。
　　3. 無線充電模塊，提供更高的能量傳輸效率。
　　4. 消費類電子產(chǎn)品中的快充解決方案。
　　5. 工業(yè)設(shè)備中的高密度功率轉(zhuǎn)換需求。
　　6. LED 驅(qū)動器和汽車電子系統(tǒng)中的電源管理部分。