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LMSZ5248BT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/4 18:01:39 查看 閱讀：10

LMSZ5248BT1G 是一款基于硅技術(shù)制造的高頻射頻 (RF) 放大器芯片，主要應(yīng)用于無(wú)線通信系統(tǒng)。該器件采用先進(jìn)的BiCMOS工藝，具備低噪聲、高增益和寬帶寬的特點(diǎn)，適用于基站、中繼器和其他高性能射頻設(shè)備中的信號(hào)放大功能。其封裝形式為小型表面貼裝類型，便于集成到緊湊型電路設(shè)計(jì)中。
　　該芯片內(nèi)置了匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路，簡(jiǎn)化了外部電路的設(shè)計(jì)需求，同時(shí)支持單電源供電，降低了系統(tǒng)的復(fù)雜度和功耗。

參數(shù)

工作頻率范圍：30MHz-3000MHz
　　增益：24dB±0.5dB
　　噪聲系數(shù)：小于1.5dB
　　輸出IP3（三階交調(diào)截點(diǎn)）：大于36dBm
　　P1dB壓縮點(diǎn)：大于20dBm
　　電源電壓：5V
　　靜態(tài)電流：約120mA
　　封裝形式：QFN-16(4x4mm)
　　工作溫度范圍：-40℃至+85℃

特性

LMSZ5248BT1G 提供了出色的射頻性能，包括高線性度、低噪聲以及穩(wěn)定的增益表現(xiàn)。其內(nèi)部集成的匹配網(wǎng)絡(luò)能夠減少對(duì)外部元件的需求，從而縮小整體電路尺寸并提高可靠性。
　　此外，這款芯片具有良好的溫度穩(wěn)定性，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)均能保持一致的性能表現(xiàn)。由于其單電源操作特性，使得在實(shí)際應(yīng)用中更容易實(shí)現(xiàn)高效的電源管理方案。
　　該產(chǎn)品還具備靜電防護(hù)功能，以保護(hù)敏感節(jié)點(diǎn)免受ESD損壞，進(jìn)一步增強(qiáng)了長(zhǎng)期使用的穩(wěn)健性。

應(yīng)用

LMSZ5248BT1G 芯片廣泛用于多種射頻通信領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備如蜂窩基站、小基站和中繼站中的信號(hào)增強(qiáng)。
　　2. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)以提供高質(zhì)量的數(shù)據(jù)傳輸。
　　3. 工業(yè)科學(xué)醫(yī)療 (ISM) 頻段相關(guān)產(chǎn)品，例如遠(yuǎn)程監(jiān)控或遙測(cè)裝置。
　　4. 測(cè)試測(cè)量?jī)x器內(nèi)作為前置放大器組件。
　　5. 衛(wèi)星通信終端接收端口放大處理。
　　憑借其卓越的技術(shù)指標(biāo)和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景，此款放大器成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想選擇。

替代型號(hào)

LMS7002M, LMZS1910BT1G

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