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LMSZ5248BT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:01:39 查看 閱讀�10

LMSZ5248BT1G 是一款基于硅技�(shù)制造的高頻射頻 (RF) 放大器芯�,主要應(yīng)用于�(wú)線通信系統(tǒng)。該器件采用先�(jìn)的BiCMOS工藝,具備低噪聲、高增益和寬帶寬的特�(diǎn),適用于基站、中繼器和其他高性能射頻�(shè)備中的信�(hào)放大功能。其封裝形式為小型表面貼裝類型,便于集成到緊湊型電路�(shè)�(jì)中�
  該芯片內(nèi)置了匹配�(wǎng)�(luò)和偏置電�,簡(jiǎn)化了外部電路的設(shè)�(jì)需�,同�(shí)支持單電源供�,降低了系統(tǒng)的復(fù)雜度和功��

參數(shù)

工作頻率范圍�30MHz-3000MHz
  增益�24dB±0.5dB
  噪聲系數(shù):小�1.5dB
  輸出IP3(三階交�(diào)截點(diǎn)):大于36dBm
  P1dB壓縮�(diǎn):大�20dBm
  電源電壓�5V
  靜態(tài)電流:約120mA
  封裝形式:QFN-16(4x4mm)
  工作溫度范圍�-40℃至+85�

特�

LMSZ5248BT1G 提供了出色的射頻性能,包括高線性度、低噪聲以及�(wěn)定的增益表現(xiàn)。其�(nèi)部集成的匹配�(wǎng)�(luò)能夠減少�(duì)外部元件的需�,從而縮小整體電路尺寸并提高可靠��
  此外,這款芯片具有良好的溫度穩(wěn)定性,在整�(gè)工作溫度范圍�(nèi)均能保持一致的性能表現(xiàn)。由于其單電源操作特性,使得在實(shí)際應(yīng)用中更容易實(shí)�(xiàn)高效的電源管理方��
  該產(chǎn)品還具備靜電防護(hù)功能,以保護(hù)敏感節(jié)�(diǎn)免受ESD損壞,�(jìn)一步增�(qiáng)了長(zhǎng)期使用的�(wěn)健��

�(yīng)�

LMSZ5248BT1G 芯片廣泛用于多種射頻通信�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(wú)線基�(chǔ)�(shè)施設(shè)備如蜂窩基站、小基站和中繼站中的信號(hào)增強(qiáng)�
  2. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)以提供高�(zhì)量的�(shù)�(jù)傳輸�
  3. 工業(yè)科學(xué)�(yī)� (ISM) 頻段相關(guān)�(chǎn)�,例如遠(yuǎn)程監(jiān)控或遙測(cè)裝置�
  4. �(cè)試測(cè)�?jī)x器內(nèi)作為前置放大器組件�
  5. �(wèi)星通信終端接收端口放大處理�
  憑借其卓越的技�(shù)指標(biāo)和靈活的�(yīng)用場(chǎng)景,此款放大器成為現(xiàn)代射頻系�(tǒng)�(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

LMS7002M, LMZS1910BT1G

lmsz5248bt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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