LMSZ5248BT1G 是一款基于硅技術(shù)制造的高頻射頻 (RF) 放大器芯片,主要應(yīng)用于無(wú)線通信系統(tǒng)。該器件采用先進(jìn)的BiCMOS工藝,具備低噪聲、高增益和寬帶寬的特點(diǎn),適用于基站、中繼器和其他高性能射頻設(shè)備中的信號(hào)放大功能。其封裝形式為小型表面貼裝類型,便于集成到緊湊型電路設(shè)計(jì)中。
該芯片內(nèi)置了匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路,簡(jiǎn)化了外部電路的設(shè)計(jì)需求,同時(shí)支持單電源供電,降低了系統(tǒng)的復(fù)雜度和功耗。
工作頻率范圍:30MHz-3000MHz
增益:24dB±0.5dB
噪聲系數(shù):小于1.5dB
輸出IP3(三階交調(diào)截點(diǎn)):大于36dBm
P1dB壓縮點(diǎn):大于20dBm
電源電壓:5V
靜態(tài)電流:約120mA
封裝形式:QFN-16(4x4mm)
工作溫度范圍:-40℃至+85℃
LMSZ5248BT1G 提供了出色的射頻性能,包括高線性度、低噪聲以及穩(wěn)定的增益表現(xiàn)。其內(nèi)部集成的匹配網(wǎng)絡(luò)能夠減少對(duì)外部元件的需求,從而縮小整體電路尺寸并提高可靠性。
此外,這款芯片具有良好的溫度穩(wěn)定性,在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)均能保持一致的性能表現(xiàn)。由于其單電源操作特性,使得在實(shí)際應(yīng)用中更容易實(shí)現(xiàn)高效的電源管理方案。
該產(chǎn)品還具備靜電防護(hù)功能,以保護(hù)敏感節(jié)點(diǎn)免受ESD損壞,進(jìn)一步增強(qiáng)了長(zhǎng)期使用的穩(wěn)健性。
LMSZ5248BT1G 芯片廣泛用于多種射頻通信領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備如蜂窩基站、小基站和中繼站中的信號(hào)增強(qiáng)。
2. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)以提供高質(zhì)量的數(shù)據(jù)傳輸。
3. 工業(yè)科學(xué)醫(yī)療 (ISM) 頻段相關(guān)產(chǎn)品,例如遠(yuǎn)程監(jiān)控或遙測(cè)裝置。
4. 測(cè)試測(cè)量?jī)x器內(nèi)作為前置放大器組件。
5. 衛(wèi)星通信終端接收端口放大處理。
憑借其卓越的技術(shù)指標(biāo)和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景,此款放大器成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想選擇。
LMS7002M, LMZS1910BT1G