LMUN2131LT1G 時(shí)間：2025/5/30 21:20:19 閱讀：13

LMUN2131LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件，由德州儀器 (TI) 推出。它集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于高頻 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。該器件采用增強(qiáng)型 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)，能夠顯著提高功率密度并降低系統(tǒng)損耗。
　　LMUN2131LT1G 的設(shè)計(jì)使其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，同時(shí)簡(jiǎn)化了電源系統(tǒng)的布局和散熱管理。其封裝形式為 QFN-8 封裝（2mm x 2mm），非常適合空間受限的設(shè)計(jì)。

參數(shù)

型號(hào)：LMUN2131LT1G
　　類型：增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
　　工作電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：1.7A
　　導(dǎo)通電阻：130mΩ
　　柵極電荷：3.：-55°C 至 +150°C
　　封裝：QFN-8 (2mm x 2mm)
　　最大開關(guān)頻率：支持高達(dá) 2MHz

特性

LMUN2131LT1G 具有以下主要特性：
　　1. 高效氮化鎵技術(shù)：相比傳統(tǒng)硅 MOSFET，該器件具備更低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，從而實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率。
　　2. 集成驅(qū)動(dòng)器：內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)電路，可直接與脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器連接，減少外圍元件數(shù)量。
　　3. 快速開關(guān)速度：支持高達(dá) 2MHz 的開關(guān)頻率，使得設(shè)計(jì)更緊湊且高效。
　　4. 強(qiáng)大的保護(hù)功能：內(nèi)置過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫關(guān)斷等功能，確保設(shè)備在異常情況下的安全運(yùn)行。
　　5. 減小系統(tǒng)尺寸：由于支持高頻操作，可以使用更小的磁性元件和濾波器，進(jìn)一步縮小整體解決方案尺寸。
　　6. 簡(jiǎn)化的 PCB 布局：得益于其小型 QFN 封裝和優(yōu)化的引腳排列，便于進(jìn)行高密度設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

LMUN2131LT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 消費(fèi)類電子設(shè)備中的適配器和充電器：
　　 - 手機(jī)快充頭
　　 - 筆記本電腦電源適配器
　　2. 工業(yè)電源：
　　 - 開關(guān)電源 (SMPS)
　　 - LED 驅(qū)動(dòng)器
　　3. 數(shù)據(jù)中心：
　　 - 服務(wù)器電源
　　 - 電信電源
　　4. 可再生能源：
　　 - 太陽(yáng)能逆變器
　　 - 儲(chǔ)能系統(tǒng)
　　5. 汽車電子：
　　 - 車載充電器 (OBC)
　　 - DC/DC 轉(zhuǎn)換器