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LMUN2131LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 21:20:19 查看 閱讀�13

LMUN2131LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,由德州儀� (TI) 推出。它集成了驅(qū)�(dòng)器和保護(hù)功能,適用于高頻 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET),能夠顯著提高功率密度并降低系統(tǒng)損��
  LMUN2131LT1G 的設(shè)�(jì)使其在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)�(jiǎn)化了電源系統(tǒng)的布局和散熱管�。其封裝形式� QFN-8 封裝�2mm x 2mm�,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

型號(hào):LMUN2131LT1G
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
  工作電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�1.7A
  �(dǎo)通電阻:130mΩ
  柵極電荷�3.�-55°C � +150°C
  封裝:QFN-8 (2mm x 2mm)
  最大開�(guān)頻率:支持高�(dá) 2MHz

特�

LMUN2131LT1G 具有以下主要特性:
  1. 高效氮化鎵技�(shù):相比傳�(tǒng)� MOSFET,該器件具備更低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而實(shí)�(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率�
  2. 集成�(qū)�(dòng)器:�(nèi)部集成驅(qū)�(dòng)電路,可直接與脈寬調(diào)� (PWM) 控制器連接,減少外圍元件數(shù)��
  3. 快速開�(guān)速度:支持高�(dá) 2MHz 的開�(guān)頻率,使得設(shè)�(jì)更緊湊且高效�
  4. �(qiáng)大的保護(hù)功能:內(nèi)置過(guò)流保�(hù)、過(guò)溫關(guān)斷等功能,確保設(shè)備在異常情況下的安全�(yùn)��
  5. 減小系統(tǒng)尺寸:由于支持高頻操�,可以使用更小的磁性元件和濾波器,�(jìn)一步縮小整體解決方案尺��
  6. �(jiǎn)化的 PCB 布局:得益于其小� QFN 封裝和優(yōu)化的引腳排列,便于�(jìn)行高密度�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

LMUN2131LT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類電子設(shè)備中的適配器和充電器�
   - 手機(jī)快充�
   - 筆記本電腦電源適配器
  2. 工業(yè)電源�
   - 開關(guān)電源 (SMPS)
   - LED �(qū)�(dòng)�
  3. �(shù)�(jù)中心�
   - 服務(wù)器電�
   - 電信電源
  4. 可再生能源:
   - 太陽(yáng)能逆變�
   - �(chǔ)能系�(tǒng)
  5. 汽車電子�
   - 車載充電� (OBC)
   - DC/DC �(zhuǎn)換器

替代型號(hào)

LMG3411R070,
  LMG3422R030,
  GAN043-650WSA

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