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LN026N100C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 15:05:22 查看 閱讀�25

LN026N100C是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于高頻�、高效率的開(kāi)�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
  LN026N100C主要針對(duì)需要高效能和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),其耐壓能力�100V,并且具備出色的熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

額定電壓�100V
  連續(xù)漏極電流�26A
  �(dǎo)通電阻:1.3mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1080pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(由于是MOSFET�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

LN026N100C擁有以下突出特性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻,僅為1.3mΩ,可有效降低�(dǎo)通損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻工作環(huán)�,從而減少磁性元件的體積并提升系�(tǒng)效率�
  3. 先�(jìn)的封裝結(jié)�(gòu)提高了散熱性能,使器件能夠在高溫條件下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 柵極�(qū)�(dòng)要求�(jiǎn)單,與傳�(tǒng)硅基MOSFET兼容,便于替換升�(jí)�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),滿(mǎn)足工�(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用的需��
  6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��

�(yīng)�

LN026N100C廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,如AC-DC適配器和充電器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于通信�(shè)備和服務(wù)器電源模塊�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如電�(dòng)工具和家用電器中的無(wú)刷直流電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 新能源汽�(chē)的車(chē)載充電器(OBC)和DC-DC變換��
  5. 光伏逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部��

替代型號(hào)

LN020N100C
  LN026N100K
  STGAP100C
  Infineon IPW100R060S6L

ln026n100c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)