LP0404N3T5G是一款專為低壓應(yīng)用設(shè)計的N溝道MOSFET功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高電流處理能力等特�,適用于多種電源管理和電機驅(qū)動應(yīng)用場��
其封裝形式通常為SOT-23或DFN等小型化封裝,有助于節(jié)省電路板空間并提升散熱性能。該型號廣泛�(yīng)用于便攜式設(shè)�、消費電�、工�(yè)控制等領(lǐng)域中的負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電池保護電路中�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):40mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:3.5pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了更高的效率和更低的功��
2. 快速開�(guān)特性使其非常適合高頻操作環(huán)境�
3. 高靜電放電(ESD)防護能力提升了器件的可靠��
4. 小型封裝便于在緊湊型�(shè)計中使用�
5. 寬工作溫度范圍支持其在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運��
�(fù)載開�(guān)
DC-DC�(zhuǎn)換器
電池保護電路
電機�(qū)�
信號切換
消費類電子產(chǎn)品中的電源管�
AO3400
IRLML6401
FDMC8618