LQG15HS1N0B02D 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,采� LFPAK8 封裝形式。該芯片主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能使得它在需要高效能、低功耗的電路�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.3mΩ
柵極電荷�29nC
開關(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=17ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
LQG15HS1N0B02D 具有超低�(dǎo)通電阻,能夠有效降低�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
其先�(jìn)的封裝技�(shù)提高了散熱性能,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)用�
同時(shí),該器件具備快速開�(guān)速度,可以減少開�(guān)損耗,在高頻操作條件下表現(xiàn)尤為突出�
此外,內(nèi)� ESD 保護(hù)功能增強(qiáng)了芯片的可靠性和抗干擾能��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)電源 (POL)、同步整流電路以及小型電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
由于其低�(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能,LQG15HS1N0B02D 也適用于高性能�(jì)算設(shè)�、通信基礎(chǔ)�(shè)施和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理部��
此外,它還能夠滿足電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)和太陽能逆變器等�(duì)高效率要求較高的�(yīng)用場(chǎng)景需��
LQG15HS1N0B01D
LQG15HS1N0B03D