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LQG15HS1N0S02D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 13:03:11 查看 閱讀：24

LQG15HS1N0S02D是一款由羅姆（ROHM）公司生產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用USP-6B封裝，具有出色的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗特性，適用于多種電源管理場(chǎng)景。其主要特點(diǎn)是能夠在高電流條件下保持較低的導(dǎo)通電阻，同時(shí)具備良好的熱特性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：-15A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：2.9mΩ
　　柵極-源極電壓（最大值）：±20V
　　功耗（最大值）：35W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃

特性

LQG15HS1N0S02D是一款專為高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)的P溝道MOSFET。
　　它具有超低的導(dǎo)通電阻，可以有效減少功率損耗。
　　此外，其USP-6B封裝方式有助于提升散熱性能，適合緊湊型設(shè)計(jì)。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，該器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，并且能夠承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊。
　　它的高可靠性使其非常適合于要求嚴(yán)格的工業(yè)和汽車(chē)電子領(lǐng)域。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路以及電池保護(hù)電路。
　　在消費(fèi)電子領(lǐng)域，它可以用于筆記本電腦適配器、智能手機(jī)快充模塊等。
　　工業(yè)領(lǐng)域中，這款MOSFET可用于可編程邏輯控制器（PLC）、逆變器和其他高性能電源管理系統(tǒng)。
　　另外，在汽車(chē)電子領(lǐng)域，該器件也可以用作引擎控制單元（ECU）中的關(guān)鍵元件。

替代型號(hào)

LQG15HS1N0T02D

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lqg15hs1n0s02d參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊Inductor Products
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝10
  • 類(lèi)別電感器，線圈，扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQG15HS
  • 電感1nH
  • 電流300mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類(lèi)型空氣芯體
  • 容差±0.3nH
  • 屏蔽無(wú)屏蔽
  • DC 電阻(DCR)最大 70 毫歐
  • Q因子@頻率8 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧振10GHz
  • 材料 - 芯體空氣
  • 封裝/外殼0402（1005 公制）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 包裝Digi-Reel®
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測(cè)試100MHz
  • 其它名稱490-2610-6