LQG15HS1N0S02D是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的低�(dǎo)通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用USP-6B封裝,具有出色的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通損耗特�,適用于多種電源管理�(chǎng)�。其主要特點(diǎn)是能夠在高電流條件下保持較低的導(dǎo)通電阻,同時(shí)具備良好的熱特性和可靠��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�-15A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.9mΩ
柵極-源極電壓(最大值):�20V
功耗(最大值)�35W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
LQG15HS1N0S02D是一款專為高效能�(yīng)用設(shè)�(jì)的P溝道MOSFET�
它具有超低的�(dǎo)通電�,可以有效減少功率損��
此外,其USP-6B封裝方式有助于提升散熱性能,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
由于采用了先�(jìn)的制造工�,該器件在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,并且能夠承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊�
它的高可靠性使其非常適合于要求�(yán)格的工業(yè)和汽�(chē)電子�(lǐng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及電池保護(hù)電路�
在消�(fèi)電子�(lǐng)�,它可以用于筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快充模塊等�
工業(yè)�(lǐng)域中,這款MOSFET可用于可編程邏輯控制器(PLC)、逆變器和其他高性能電源管理系統(tǒng)�
另外,在汽車(chē)電子�(lǐng)�,該器件也可以用作引擎控制單元(ECU)中的關(guān)鍵元件�
LQG15HS1N0T02D