LQG15HS3N0S02D 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的高功率 N 灃道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-263-3 封裝形式。此器件主要用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高效率功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�,具有低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)注重高效能和小型�,適合各種工�(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備的�(yīng)用需求�
該型�(hào)屬于羅姆� Power MOSFET 系列,以高可靠�、高性能和低功耗為特點(diǎn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�130nC
輸入電容�1780pF
開關(guān)�(shí)間:ton=95ns, toff=45ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
LQG15HS3N0S02D 具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其大電流承載能力和�(jiān)固的封裝�(jié)�(gòu)使其在嚴(yán)苛環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
� MOSFET 的快速開�(guān)特性有助于降低開關(guān)損�,同�(shí)減少電磁干擾(EMI)。另外,該器件支持高溫操�,適�(yīng)范圍�,非常適合需要高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)合�
TO-263-3 封裝提供良好的散熱性能,確保在高功率密度條件下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。其引腳布局便于 PCB �(shè)�(jì)與安�,簡(jiǎn)化了制造工藝流程�
LQG15HS3N0S02D 廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 電動(dòng)工具
6. 太陽(yáng)能逆變�
7. 電動(dòng)汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS)
其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使得該器件成為許多高性能電力電子系統(tǒng)的理想選擇�
LQG15HS3N0S02DS1
LQG15HS3N0S02DS2
IRFB4110TRPBF
FDP067N06L