LQG15HS3N6S02D 是一種基� GaN(氮化鎵)技術的高效功率晶體�,屬� LQG 系列。該器件采用了先進的橫向場效應晶體管 (HEMT) 結構設計,具有低導通電阻和高開關頻率的特點,適用于高效�、高功率密度的應用場景。此型號主要面向工業(yè)、通信及消費電子領域中� DC逆變器以及快速充電設��
額定電壓�650V
導通電阻:120mΩ
最大漏極電流:10A
柵極�(qū)動電壓:4V~6V
開關速度:納秒級
封裝形式:TO-247
LQG15HS3N6S02D 擁有卓越的性能表現(xiàn)。首�,它采用增強� HEMT 工藝,具備超低的導通電阻和柵極電荷,使得其在高頻操作下的損耗顯著降��
其次,該芯片支持高達 650V 的工作電�,能夠滿足多種高壓應用需��
此外,其快速的開關特性使其非常適合高頻開關電源的設計,可有效減少磁性元件的體積并提升系�(tǒng)整體效率�
再�,其耐熱性和可靠性經(jīng)過嚴格測�,能夠在惡劣�(huán)境下長期�(wěn)定運�。同時,由于其采� TO-247 封裝形式,便于散熱管理并適合表面貼裝或焊接工��
LQG15HS3N6S02D 廣泛應用于多個領域,包括但不限于�
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服務器、通信基站等高功率密度場合�
2. 快速充電器設計,特別是支持 USB-PD �(xié)議的多協(xié)議快充適配器�
3. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
4. 電動工具、無人機及其他便攜式設備的電機驅(qū)動電��
5. LED �(qū)動器以及其他需要高性能功率切換的工�(yè)控制裝置�
LQG15HS3N8S02D, LQG15HS3N6S03D