時間：2025/5/8 19:32:15
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LQG15HS6N2S02D 是一款由 Rohm（羅姆）生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片，屬于 LQ 系列。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝和封裝技術(shù)，專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，適合需要低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能的場景。
這款 MOSFET 的主要特點是其極低的導(dǎo)通電阻以及出色的熱性能表現(xiàn)，能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)整體效率。它適用于汽車電子、工業(yè)設(shè)備及消費類電子產(chǎn)品中的多種電源管理場景。
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：15V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：80A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.45mΩ
總功耗(Ptot)：75W
工作溫度范圍(Tj)：-55℃ to +175℃
封裝形式：TO-263-3
LQG15HS6N2S02D 提供了非常低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功率損耗，特別是在大電流應(yīng)用場景中。此外，該芯片具備較高的雪崩耐量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性。
由于采用了 TO-263-3 封裝，這種表面貼裝方式不僅提供了良好的散熱性能，還便于自動化生產(chǎn)和裝配，提高了生產(chǎn)效率。
該 MOSFET 的柵極電荷較低，從而降低了驅(qū)動損耗，并支持更高的開關(guān)頻率，非常適合用于高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和其他開關(guān)模式電源設(shè)計。
此外，Rohm 對該產(chǎn)品的制造質(zhì)量嚴(yán)格把控，確保了其長期使用的穩(wěn)定性和一致性，是高性能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
LQG15HS6N2S02D 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 汽車電子 - 包括引擎控制單元、電動車窗控制器、座椅調(diào)節(jié)電機(jī)驅(qū)動等。
2. 工業(yè)設(shè)備 - 如工廠自動化設(shè)備中的伺服電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)級 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 消費類電子產(chǎn)品 - 筆記本電腦適配器、USB-PD 充電器、LED 驅(qū)動電路。
4. 通信電源 - 基站供電模塊、路由器電源解決方案。
其廣泛的應(yīng)用得益于其強(qiáng)大的電氣性能和適應(yīng)不同環(huán)境的能力。
LQG15HS6N2S02DTR, LQG15HS6N2S02DS
