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LQG15HSR12G02D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 19:18:22 查看 閱讀:34

LQG15HSR12G02D 是一款由羅姆(ROHM)公司生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片,屬于溝槽式 MOSFET 系列。該器件采用 LFPAK56E 封裝形式,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場合。
  該型號的設(shè)計(jì)旨在減少能量損耗并提高系統(tǒng)性能,其出色的熱特性和電氣特性使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:LFPAK56E
  Vds(漏源極電壓):15V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):0.7mΩ
  Id(持續(xù)漏極電流):230A
  柵極電荷(Qg):45nC
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

LQG15HSR12G02D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高電流承載能力,支持高達(dá) 230A 的持續(xù)漏極電流。
  3. 快速開關(guān)速度,得益于較小的柵極電荷 Qg 和較低的輸入電容 Ciss。
  4. 優(yōu)異的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,最高結(jié)溫可達(dá) 175℃。
  5. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車級應(yīng)用。
  6. 采用 LFPAK56E 封裝,提供良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
  7. 產(chǎn)品無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用

LQG15HSR12G02D 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
  3. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)、制動(dòng)系統(tǒng)及逆變器模塊。
  4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電管理電路。
  6. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電路設(shè)計(jì)。
  由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,這款 MOSFET 特別適合需要高效能和高可靠性的應(yīng)用環(huán)境。

替代型號

LQG15HVR12G02D, LQG15HSR10G02D

lqg15hsr12g02d推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

lqg15hsr12g02d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格10,000 : ¥0.25694卷帶(TR)
  • 系列LQG15
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 類型多層
  • 材料 - 磁芯Air
  • 電感120 nH
  • 容差±2%
  • 額定電流(安培)200 mA
  • 電流 - 飽和 (Isat)-
  • 屏蔽無屏蔽
  • DC 電阻 (DCR)1.3 歐姆最大
  • 不同頻率時(shí) Q 值8 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧振600MHz
  • 等級-
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 電感頻率 - 測試100 MHz
  • 特性-
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 供應(yīng)商器件封裝0402
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)0.022"(0.55mm)