時(shí)間：2025/4/29 19:18:22
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LQG15HSR12G02D 是一款由羅姆（ROHM）公司生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片，屬于溝槽式 MOSFET 系列。該器件采用 LFPAK56E 封裝形式，具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場合。
該型號的設(shè)計(jì)旨在減少能量損耗并提高系統(tǒng)性能，其出色的熱特性和電氣特性使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
類型：MOSFET
封裝：LFPAK56E
Vds（漏源極電壓）：15V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：0.7mΩ
Id（持續(xù)漏極電流）：230A
柵極電荷（Qg）：45nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
LQG15HSR12G02D 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力，支持高達(dá) 230A 的持續(xù)漏極電流。
3. 快速開關(guān)速度，得益于較小的柵極電荷 Qg 和較低的輸入電容 Ciss。
4. 優(yōu)異的熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，最高結(jié)溫可達(dá) 175℃。
5. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級應(yīng)用。
6. 采用 LFPAK56E 封裝，提供良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
7. 產(chǎn)品無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
LQG15HSR12G02D 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）設(shè)計(jì)中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
3. 汽車電子系統(tǒng)，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）、制動(dòng)系統(tǒng)及逆變器模塊。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的充放電管理電路。
6. 高效功率因數(shù)校正（PFC）電路設(shè)計(jì)。
由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，這款 MOSFET 特別適合需要高效能和高可靠性的應(yīng)用環(huán)境。
LQG15HVR12G02D, LQG15HSR10G02D
