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LQP03HQ4N7H02 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 9:32:10 查看 閱讀�22

LQP03HQ4N7H02 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的低�(dǎo)通電阻、小型化封裝� N 灃道場效�(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件主要�(yīng)用于移動�(shè)�、消�(fèi)電子和其他需要高效率和小體積的應(yīng)用中。其采用超緊湊的 USP 封裝,有助于減少 PCB 空間占用,并提供出色的電氣性能�
  LQP03 系列 MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))而著�,能夠顯著降低功率損�,提高整體系�(tǒng)效率。此�,其�(yōu)異的熱特性和�(wěn)定性使其非常適合電池驅(qū)動產(chǎn)品以及其他對能效敏感的應(yīng)用場��

參數(shù)

型號:LQP03HQ4N7H02
  類型:N 沖道 MOSFET
  封裝:USP
  最大漏源電�(Vds)�20V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.6A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.7mΩ(典型�,在 Vgs=4.5V 下)
  總功�(Ptot)�910mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  柵極電荷(Qg)�6nC(典型值)

特�

LQP03HQ4N7H02 具備以下突出特點(diǎn)�
  1. 超低�(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅� 4.7mΩ,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高電路效率�
  2. 小型化封裝:采用 USP 封裝技�(shù),尺寸小�,適合空間受限的�(shè)計�
  3. 高可靠性:具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐久�,適用于各種�(yán)苛環(huán)境�
  4. 快速開�(guān)性能:較低的柵極電荷 Qg 和優(yōu)化的寄生電感使得開關(guān)速度更快,同時降低了開關(guān)損耗�
  5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +150°C 的廣泛溫度區(qū)�,確保在極端條件下的可靠�(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�,滿足國際法�(guī)要求�

�(yīng)�

LQP03HQ4N7H02 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 移動�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電源管理模塊�
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如智能手機(jī)、平板電�、筆記本電腦等的電源�(zhuǎn)換器�
  3. 便攜式電子設(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換電��
  4. 開關(guān)模式電源(SMPS�、LED �(qū)動器和電�(jī)控制�
  5. 電池保護(hù)電路及充電管理系�(tǒng)�
  由于其卓越的性能和緊湊的封裝形式,LQP03HQ4N7H02 成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品的首選解決方案�

替代型號

LQP03HQ5N7H02
  LQP03HQ6N7H02

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