LQP03TN0N6B02D是一款由ROHM公司生產(chǎn)的超小型、低�(dǎo)通電阻的N溝道功率MOSFET芯片,采用USP-6B封裝形式。該�(chǎn)品主要針�(duì)空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),具備出色的散熱性能和高效的�(kāi)�(guān)特�,適用于各種便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)、電源管理以及保�(hù)電路等場(chǎng)��
這款MOSFET具有非常低的�(dǎo)通電�,從而減少功率損耗并提升整體效率。此�,其緊湊的封裝形式使其非常適合對(duì)尺寸要求�(yán)格的�(xiàn)代電子產(chǎn)品�
型號(hào):LQP03TN0N6B02D
制造商:ROHM
�(lèi)型:N溝道功率MOSFET
VDS(漏源極擊穿電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�140mΩ(典型�,在VGS=10V�(shí)�
IDS(連續(xù)漏極電流):2.6A
封裝:USP-6B(超小型表面貼裝�
工作溫度范圍�-55℃至+150�
柵極電荷(Qg):9nC(典型值)
1. 超低�(dǎo)通電阻:在特定的柵極�(qū)�(dòng)電壓下,該MOSFET提供非常低的RDS(on),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 小型化設(shè)�(jì):采用USP-6B封裝,尺寸僅�1.2mm x 1.6mm,適合于高密度PCB布局�
3. 高可靠性:通過(guò)�(yōu)化的半導(dǎo)體制造工藝,確保了器件在寬溫范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
4. 快速開(kāi)�(guān)能力:較小的柵極電荷允許更快的開(kāi)�(guān)速度,�(jìn)而減少開(kāi)�(guān)損耗�
5. �(huán)保材料:符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),使用無(wú)鉛端子,�(mǎn)足綠色環(huán)保要��
LQP03TN0N6B02D廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)控制,如智能手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)��
2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
3. �(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)電路中的�(guān)鍵組��
4. 各種電池供電�(shè)備中的電源管理模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的小信�(hào)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
LQP03TN0N6B02D-S1