LQP03TN18NH02D是一款低導通電阻的N溝道功率MOSFET,采用小型化封裝(SOT-23�,廣泛應用于便攜式設備和消費類電子產(chǎn)品的電源管理中。該器件具有較低的導通電�、快速開關性能以及良好的熱�(wěn)定性,適用于負載開�、同步整流器以及其他高效能開關電路�
類型:N溝道MOSFET
封裝:SOT-23
Vds(漏源電壓)�30V
Vgs(柵極驅動電壓):�20V
Rds(on)(導通電�,典型值)�45mΩ(在Vgs=10V時)
Ids(連續(xù)漏極電流):5.6A
功耗:1.4W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
LQP03TN18NH02D采用了先進的半導體工藝制造,具有以下特點�
1. 超低導通電阻:Rds(on)僅為45mΩ,能夠顯著降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開關性能:具備較小的輸入電容和輸出電�,有助于實現(xiàn)高頻應用�
3. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的質量控制,確保其能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運行�
4. 小型化設計:使用SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間,非常適合緊湊型設計需��
5. 熱穩(wěn)定性強:即使在高溫條件下也能保持較低的導通電阻和�(wěn)定的電氣性能�
LQP03TN18NH02D適合用于多種領域中的高效能開關和保護功能,具體包括:
1. 消費電子�(chǎn)品:如智能手�、平板電腦等便攜式設備的負載開關�
2. 電源管理:例如DC-DC轉換器中的同步整流器或降壓轉換器�
3. 工業(yè)自動化:傳感器接口、信號隔離等場景中的小型化開��
4. LED驅動:為LED照明提供高效可靠的驅動方案�
5. �(shù)�(jù)通信:網(wǎng)絡設備中的信號切換及短路保護�
LQP03TN18NH02D-A, LQP03TN18NH02D-B