LQP03TN1N5B02D 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的超小型、低�(dǎo)通電阻的 P 溝道功率 MOSFET。該器件采用 USP-6B 封裝形式,具有出色的性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合在空間受限的應(yīng)用中使用。這款 MOSFET 主要用于�(fù)載開�(guān)、電源管理以及電池供電設(shè)備中的電流控��
由于其低�(dǎo)通電阻特�,LQP03TN1N5B02D 能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效�。同�(shí),該�(chǎn)品具備較高的可靠性與�(wěn)定�,使其能夠在各種�(fù)雜的電子系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用�
型號(hào):LQP03TN1N5B02D
封裝:USP-6B
Vds(最大漏源電壓)�-30V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�80mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):-2.4A
Qg(柵極電荷)�7nC
Vgs(th)(閾值電壓)�-0.8V to -1.4V
fT(截止頻率)�270MHz
工作溫度范圍�-55� to 150�
LQP03TN1N5B02D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高�(zhuǎn)換效��
2. 超緊湊的封裝�(shè)�(jì)(USP-6B�,非常適合便攜式�(shè)備和其他空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 高度�(wěn)定的電氣性能,在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)一��
4. 快速開�(guān)能力,能夠有效支持高頻應(yīng)用需��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)��
6. 出色的熱性能,即使在高電流條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)行�
7. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
這些特性使� LQP03TN1N5B02D 成為眾多電源管理和信�(hào)切換�(yīng)用的理想選擇�
LQP03TN1N5B02D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備中的電源管理單�,例如智能手�(jī)、平板電腦和筆記本電��
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電流控制電路�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離和保�(hù)電路�
4. LED 照明系統(tǒng)中的�(qū)�(dòng)器和�(diào)光控制器�
5. 可穿戴設(shè)備中的高效電源管理解決方��
6. 通信�(shè)備中� DC/DC �(zhuǎn)換器和電源模��
由于其出色的性能和緊湊的�(shè)�(jì),LQP03TN1N5B02D 在現(xiàn)代電子產(chǎn)品的開發(fā)中得到了廣泛�(yīng)��
LQP03TN1P8B02D
LQP03TN1N3B02D