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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > LQP03TN82NJ02D

LQP03TN82NJ02D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 20:12:02 查看 閱讀�14

LQP03TN82NJ02D是一款由ROHM生產(chǎn)的低�(dǎo)通電阻N溝道功率MOSFET。該器件采用小型化的DFN封裝,非常適合用于需要高效開(kāi)�(guān)和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻的特性可以有效減少電路中的功率損�,并且具備快速開(kāi)�(guān)速度和高可靠性。這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)��
  該芯片設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化空間受限應(yīng)用中的性能表現(xiàn),同�(shí)提供出色的電氣特性和熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�3.9A
  �(dǎo)通電阻:28mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:740mW
  工作溫度范圍�-55℃至150�
  封裝形式:DFN2020-6

特�

LQP03TN82NJ02D具有超低的導(dǎo)通電�,從而顯著降低了�(dǎo)通損�,提高了系統(tǒng)效率。它還具備良好的熱穩(wěn)定性和快速的�(kāi)�(guān)速度,適合高頻操作環(huán)�。此�,該元件采用了緊湊型表面貼裝封裝,節(jié)省了PCB空間并簡(jiǎn)化了組裝�(guò)��
  此款MOSFET�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)試,確保在惡劣的工作條件下也能保持高性能和高可靠�。由于其小尺寸和高效的電氣性能,它是許多便攜式和空間敏感型�(shè)備的理想選擇�

�(yīng)�

LQP03TN82NJ02D適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于開(kāi)�(guān)電源(SMPS)、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、LED照明以及電池管理等。憑借其�(yōu)越的電氣特性和緊湊的設(shè)�(jì),該元件特別適合智能手機(jī)、平板電�、可穿戴�(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理和信號(hào)切換功能�
  另外,在通信�(shè)備領(lǐng)域,如路由器、交換機(jī)及基站中也有廣泛�(yīng)�。在工業(yè)自動(dòng)化方面,可用于各�(lèi)傳感器接�、過(guò)程控制單元以及數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)的電源部��

替代型號(hào)

LQP03TN82NL02D
  LQP03TN82NK02D

lqp03tn82nj02d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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lqp03tn82nj02d參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝15,000
  • �(lèi)�電感器,線圈,扼流圈
  • 家庭固定�
  • 系列LQP03T_02
  • 電感82nH
  • 電流50mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • �(lèi)�-
  • 容差±5%
  • 屏蔽�(wú)屏蔽
  • DC 電阻(DCR)最� 10 歐姆
  • Q因子@頻率8 @ 300MHz
  • 頻率 - 自諧�1GHz
  • 材料 - 芯體-
  • 封裝/外殼0201�0603 公制�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - �(cè)�300MHz