LQP15MN1N8B02D 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的超小型、低�(dǎo)通電阻的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 USP-6B 封裝形式,適合于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。LQP15MN1N8B02D 主要用于需要高效率和小尺寸�(shè)�(jì)的開�(guān)電源、負(fù)載開�(guān)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等電路中�
這款 MOSFET 具有出色的電氣性能和可靠�,同�(shí)其封裝支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)。由于其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性,能夠有效減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損�,從而提高系�(tǒng)整體效率�
型號(hào):LQP15MN1N8B02D
類型:N 溝道 MOSFET
封裝:USP-6B
Vds(漏源極電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�14mΩ(典型值,Vgs=10V�
Ids(連續(xù)漏極電流):8A
Qg(總柵極電荷量)�7nC(典型值)
Vgs(th)(閾值電壓)�1.5V(最大值)
f(工作頻率范圍):支持高頻開�(guān)
Tj(結(jié)溫范圍)�-55� � +150�
LQP15MN1N8B02D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on) � 14mΩ�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 小型化封� USP-6B,適用于�(duì) PCB 空間要求�(yán)格的�(shè)��
3. � Ids(連續(xù)漏極電流�(dá) 8A�,滿足大電流�(yīng)用需��
4. 柵極電荷量低(Qg � 7nC�,確??焖匍_�(guān)�(dòng)作以減少開關(guān)損��
5. 支持寬范圍的工作溫度�-55� � +150℃),適�(yīng)多種�(huán)境條��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛工藝制��
LQP15MN1N8B02D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)�
2. 可穿戴設(shè)備及便攜式電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
3. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流或主開�(guān)�
4. 電池供電�(shè)備中的保�(hù)電路�
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器的核心組��
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型化解決方案�
7. 工業(yè)控制與汽車電子中的低損耗開�(guān)元件�
LQP15MN1N8B02DS, LQP15MN1N8B02DL