LQP15MN2N0B02D 是由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的一款小型化、低導通電阻的 N 灃道場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用 USP-6B 封裝形式,具有出色的開關性能和極低的導通電阻特�。由于其緊湊的尺寸和高效的性能,LQP15MN2N0B02D 廣泛應用于便攜式設備、電源管理電路以及需要高效率和小型化的場��
該型號是 ROHM � LQ 系列 MOSFET 中的一員,旨在滿足消費電子和工�(yè)應用對更高能效和更小空間設計的需求�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻(典型值)�27mΩ
柵極閾值電壓:1.2V
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝類型:USP-6B
LQP15MN2N0B02D 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠有效降低功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 采用小型 USP-6B 封裝,適合高密度 PCB 設計�
3. 快速開關能力,支持高頻操作,適用于開關電源和負載開關�
4. 高可靠�,符� AEC-Q101 標準,可應用于嚴苛環(huán)境�
5. 寬溫度范圍支�,能夠在極端條件下穩(wěn)定運��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
LQP15MN2N0B02D 被廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和小型化設計的領域�
1. 移動設備中的負載開關和電源管��
2. 可穿戴設備及 IoT 設備的電池管理系�(tǒng)�
3. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
4. LED �(qū)動器和電機驅(qū)動器�
5. 工業(yè)控制設備中的信號切換�
6. 汽車電子中的電源管理模塊�
LQP15MN2N0B02DTR, LQP15MN2N0B02DP