LQP15MN3N3B02D 是一款由羅姆(ROHM)公司生產的低導通電阻小型功率MOSFET,采用USP-6B封裝。該器件主要針對需要高效能和小尺寸的應用而設�,例如便攜式設備、消費類電子產品的電源管理電路以及負載開關等。其出色的性能使其在各種低電壓應用中具有較高的效率和可靠��
該型號屬于LQP系列,這一系列以高可靠性和低導通電阻為特點,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏電流:3.6A
導通電阻(典型值)�2.8mΩ
柵極閾值電壓:1.3V
工作結溫范圍�-55℃至175�
封裝類型:USP-6B
工作溫度范圍�-55℃至150�
LQP15MN3N3B02D 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻,僅為2.8mΩ(典型值),可有效減少功率損��
2. 小型化封裝USP-6B,適合空間受限的應用場景�
3. 支持高達30V的漏源電�,具備一定的耐壓能力�
4. 高達175℃的工作結溫范圍,適應惡劣的工作�(huán)��
5. 快速開關性能,適用于高頻開關電路�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產品的要求�
LQP15MN3N3B02D 主要應用于以下領域:
1. 消費類電子產品的電源管理電路,如智能手機、平板電腦和筆記本電��
2. 負載開關,在不同負載之間進行切換�
3. DC-DC轉換器中的開關元�,提供高效的電壓轉換�
4. 電池供電設備的保護電�,防止過流或短路�
5. 工業(yè)自動化設備中的小型驅動電路�
6. 各種低電�、大電流應用場景,如LED驅動和電機控��
LQP15MN3N3B02DSR,LQP15MN3N3B02DS