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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LQW18AN4N7D00D

LQW18AN4N7D00D 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 16:14:35 查看 閱讀�23

LQW18AN4N7D00D是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率的性能表現(xiàn)�
  這款器件具有出色的熱�(wěn)定性和可靠性,適合在緊湊型�(shè)計中使用,并且支持表面貼裝工藝(SMD�,便于自動化生產(chǎn)。其封裝形式為LFPAK88,尺寸小巧但散熱性能�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�36A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�96nC
  總電容(輸入電容):2200pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝類型:LFPAK88

特�

LQW18AN4N7D00D具備超低�(dǎo)通電�,可顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)整體效率。此外,它還擁有快速開�(guān)速度和低柵極電荷的特�,有助于減少開關(guān)損耗�
  該器件的工作�(jié)溫高�(dá)175�,使其能夠在�(yán)苛的�(huán)境下可靠運行。同�,其封裝�(shè)計優(yōu)化了散熱路徑,�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的�(wěn)定性�
  通過采用溝槽工藝,LQW18AN4N7D00D實現(xiàn)了更高的單位面積電流密度,從而為工程師提供了更靈活的�(shè)計選�。此外,它的短路耐受能力也經(jīng)過了�(yán)格測�,確保在異常情況下不會輕易損��

�(yīng)�

該功率MOSFET適用于各種需要高效能和低損耗的場合,例如:
  - 消費類電子產(chǎn)品的適配器和充電�
  - 工業(yè)�(shè)備中的DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 電動工具及家用電器的電機(jī)控制
  - 電信基礎(chǔ)�(shè)施的�(fù)載開�(guān)
  - 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�

替代型號

LQW18AN4N7D00DTR, LQW18AN4N7D00DK

lqw18an4n7d00d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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lqw18an4n7d00d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Inductor Products
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別電感�,線�,扼流圈
  • 家庭固定�
  • 系列LQW18A_00
  • 電感4.7nH
  • 電流850mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型-
  • 容差±0.5nH
  • 屏蔽無屏�
  • DC 電阻(DCR)最� 59 毫歐
  • Q因子@頻率35 @ 250MHz
  • 頻率 - 自諧�6GHz
  • 材料 - 芯體-
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝Digi-Reel®
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試100MHz
  • 其它名稱490-1162-6