LSF0101DRYR是一款N溝道邏輯增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件適用于需要低導通電阻和快速開關速度的應用場�。其封裝形式為DFN8L (2x2),具有小型化、高散熱效率的特點,適合用于便攜式設備和空間受限的設計中�
這款MOSFET在低壓應用中表現(xiàn)�(yōu)異,例如負載開關、DC-DC轉換�、電池保護電路以及電機驅動等領域�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�1.5A
導通電�(Rds(on))�40mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷(Qg)�3nC
開關時間:典型值ton=9ns,toff=16ns
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
1. 極低的導通電阻確保了更高的效率和更低的功耗�
2. 快速開關性能使得該器件非常適合高頻應用�
3. 小型DFN8L封裝提高了設計靈活性并節(jié)省了PCB空間�
4. 高可靠性和�(wěn)健的電氣性能使其能夠應對苛刻的工作環(huán)��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的制造要��
1. 移動設備中的負載開關�
2. 降壓和升壓DC-DC轉換��
3. 電池供電系統(tǒng)中的保護電路�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的小型電機驅動�
5. 各種電源管理解決方案中的關鍵組件�
STL180N3LLH5
SI2307DS
FDMC881P