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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LSF0102DCUR

LSF0102DCUR 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 12:47:17 查看 閱讀�31

LSF0102DCUR 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的功率晶體�,專為高�、高效應用場景設�。該器件采用先進的封裝工藝和材�,具有低導通電�、快速開關速度和高耐壓性能,適用于各類開關電源、DC-DC轉換器以及負載點(POL)轉換器等應用領域�
  通過�(yōu)化的芯片設計與封裝技�,LSF0102DCUR 在高溫環(huán)境下的可靠性得到顯著提升,同時其優(yōu)異的動態(tài)特性使其能夠適應更廣泛的負載變化需��

參數(shù)

型號:LSF0102DCUR
  類型:增強型氮化鎵場效應晶體�(E-Mode GaN FET)
  耐壓�650V
  導通電阻:160mΩ(典型值)
  最大漏極電流:4A
  柵極電荷�30nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-7

特�

LSF0102DCUR 的主要特性包括:
  1. 高效性能:得益于低導通電阻和快速開關能�,器件能夠在高頻工作條件下保持較高的效率�
  2. 熱穩(wěn)定性強:其耐高溫能力突�,適合在嚴苛的工作環(huán)境下運行�
  3. 小型化設計:�(yōu)化的封裝尺寸有助于減少整體解決方案的空間占用�
  4. 強大的抗電磁干擾能力:通過內置保護電路和嚴格的EMI控制設計,確保系�(tǒng)�(wěn)定運��
  5. 高速開關特性:短開關時間和低開關損耗使它非常適合要求嚴格的高速電力電子應��

應用

LSF0102DCUR 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS) 和適配器設計
  2. DC-DC 轉換�
  3. 新能源汽車中的車載充電器(OBC) 及逆變�
  4. 工業(yè)設備中的電機驅動和功率管理模�
  5. 高密度服務器及通信電源供應
  6. 快充�(xié)議支持的消費類電子產�

替代型號

LSF0102DCTR, LSF0102DCFUR

lsf0102dcur推薦供應� 更多>

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lsf0102dcur參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�37,817�(xiàn)�9,000Factory
  • 價格1 : �5.64000剪切帶(CT�3,000 : �2.26501卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • 轉換器類�電壓電平
  • 通道類型雙向
  • 電路�(shù)1
  • 每個電路通道�(shù)2
  • 電壓 - VCCA0 V ~ 5 V
  • 電壓?- VCCB0 V ~ 5 V
  • 輸入信號-
  • 輸出信號-
  • 輸出類型開漏�,推挽式
  • �(shù)�(jù)速率-
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C(TA�
  • 特�自動方向檢測
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-VFSOP�0.091"�2.30mm 寬)
  • 供應商器件封�8-VSSOP