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M1MA151KT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 8:38:35 查看 閱讀�7

M1MA151KT1G 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� NAND Flash 存儲(chǔ)芯片,屬� 128Gb�16GB)的 TLC 類型存儲(chǔ)器。該芯片采用 1600nm 工藝制�,支� ONFI(Open NAND Flash Interface)標(biāo)�(zhǔn),廣泛應(yīng)用于嵌入式設(shè)備、工�(yè)控制、消�(fèi)類電子產(chǎn)品等�(lǐng)��
  此型�(hào)� NAND Flash 提供高容量和高性能的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案,適合需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場��

參數(shù)

容量�128Gb (16GB)
  類型:TLC NAND Flash
  接口:ONFI 兼容
  電壓:Vcc = 3.3V ± 5%, Vccq = 1.8V ± 5%
  封裝:BGA 169 �
  工作溫度�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保留�(shí)間:� 10 �
  擦寫周期:典型� 1000 �

特�

M1MA151KT1G 使用 TLC(Triple-Level Cell)技�(shù),能夠在每�(gè)存儲(chǔ)單元中存�(chǔ) 3 位數(shù)�(jù),從而在有限的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)更高的存�(chǔ)密度�
  該芯片支� ONFI �(biāo)�(zhǔn)接口,能夠與主流主控芯片無縫兼容。其高速讀寫性能和低功耗設(shè)�(jì)使其非常適合便攜式設(shè)備和長時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)�
  此外,它具備�(qiáng)大的 ECC(Error Correction Code)能�,確保數(shù)�(jù)在多次擦寫后依然保持完整�。同�(shí),芯片內(nèi)部集成了磨損均衡算法,延長了存儲(chǔ)器的使用壽命�

�(yīng)�

M1MA151KT1G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 嵌入式系�(tǒng):如路由器、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的固件存�(chǔ)�
  2. 消費(fèi)類電子:包括智能手機(jī)、平板電�、數(shù)碼相�(jī)等的多媒體文件存�(chǔ)�
  3. 工業(yè)控制:用于工�(yè)�(jì)算機(jī)、自�(dòng)化設(shè)備中的程序和�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  4. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存�(chǔ)組件之一,提供大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�

替代型號(hào)

MT29F128G08CUCD

m1ma151kt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

m1ma151kt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類��(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - (Vr)(最大)40V
  • 電流 - 平均整流 (Io)100mA(DC�
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 速度小信�(hào) =
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)3ns
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電100nA @ 35V
  • 電容@ Vr, F2pF @ 0V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-59
  • 包裝帶卷 (TR)