M58BW32FB4ZA3T 時間：2025/5/21 20:17:55 閱讀：15

M58BW32FB4ZA3T 是一款由 Micron（美光）制造的 NAND 閃存芯片，屬于 3D TLC NAND 系列。它主要用于大容量存儲應(yīng)用，例如固態(tài)硬盤 (SSD)、UFS 存儲設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)。這款芯片采用先進(jìn)的 3D 構(gòu)造技術(shù)，在提高存儲密度的同時降低了成本，并且具備良好的可靠性和性能。
　　該型號采用了 96 層堆疊技術(shù)，單顆芯片即可提供大容量存儲能力，同時支持高速數(shù)據(jù)傳輸和低功耗操作，非常適合需要高效率存儲解決方案的應(yīng)用場景。

參數(shù)

容量：32GB
　　接口類型：Toggle Mode 2.0
　　工作電壓：1.8V
　　封裝形式：BGA 169-ball
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：最高可達(dá) 400MT/s
　　擦寫壽命：約 1000 次
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　存儲單元類型：TLC（Triple-Level Cell）
　　芯片層數(shù)：96層

特性

M58BW32FB4ZA3T 的主要特性包括：高效能的 Toggle Mode 2.0 接口支持高達(dá) 400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率；采用 TLC 存儲單元設(shè)計，在保證成本效益的同時提供了較大的存儲容量；96 層堆疊技術(shù)顯著提高了存儲密度并優(yōu)化了性能與功耗；具有較寬的工作溫度范圍，適應(yīng)各種環(huán)境下的使用需求；其 BGA 169 封裝方式使得安裝更加便捷，并且可以有效減少空間占用。
　　此外，該芯片還具備良好的耐用性，盡管 TLC 類型的擦寫壽命相對較低，但對于普通消費級和商業(yè)級應(yīng)用已經(jīng)足夠滿足需求。

應(yīng)用

M58BW32FB4ZA3T 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：消費類電子設(shè)備中的大容量存儲解決方案，如平板電腦、智能手機和數(shù)碼相機等；工業(yè)級和嵌入式系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲模塊；企業(yè)級 SSD 中作為核心存儲介質(zhì)；UFS（Universal Flash Storage）卡和其他高性能移動存儲設(shè)備；車載信息娛樂系統(tǒng)和 ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）相關(guān)的數(shù)據(jù)記錄與處理裝置。
　　由于其高密度存儲能力和穩(wěn)定性能表現(xiàn)，這款芯片也適合用在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、監(jiān)控錄像存儲以及云服務(wù)相關(guān)的硬件設(shè)施中。